[發明專利]一種圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法

有效

• 申請號: 201310152440.4
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103236471A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 占榮
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于包括以下順序步驟：

1）采用MOCVD在EPI-ready?Ge襯底上生長一層GaInP；

2）對待光刻的襯底進行涂膠、勻膠和前烘處理；

3）將掩模版與襯底對準安裝；

4）投影曝光；

5）將曝光后的襯底進行顯影，堅膜處理；

6）將堅膜處理后的襯底置于第一腐蝕液中腐蝕處理30～60秒，然后在第二腐蝕液中腐蝕處理30～60秒；

7）將腐蝕后的襯底去膠；

8）將襯底的GaInP層以第一腐蝕液腐蝕去除，然后采用去離子水中沖洗120～180秒，離心甩干；

9）將襯底在90～100℃的濃硫酸中浸泡后，再以40～60℃的稀硫酸浸泡，然后在第三腐蝕液中常溫兆聲清洗，最后在去離子水中兆聲清洗；

10）采用通氮氣離心甩干方式干燥襯底，N₂密封。

2.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：

所述第一腐蝕液由體積比為1：2：5~8的HCl、H₃PO₄和H₂O組成；

所述第二腐蝕液由體積比為1：1：5~10的NH₃·H₂O、H₂O₂和H₂O組成；

所述第三腐蝕液由體積比為1：2：5~10的NH₃·H₂O、H₂O₂和H₂O組成。

3.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：步驟1）生產的GaInP厚度為100～200nm。

4.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：步驟2）中，所述待光刻的襯底特征為機械化學GaInP表面，摻雜劑為Ga，電阻率為0.001～0.01Ω·cm。

5.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：所述步驟3）中的掩模版為棱形，掩模版與襯底對準對準時，棱形短對角線方向和襯底GaInP的方向重合，棱形對角線的長度為1～2μm。

6.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：所述步驟6）中，以溫度為20～60℃的第一腐蝕液中腐蝕處理60秒。

7.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：所述步驟6）中，以溫度為20～60℃的第二腐蝕液中腐蝕處理60秒。

8.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：所述步驟9）中，以濃硫酸浸泡30～60秒，以稀硫酸浸泡30～60秒。

9.根據權利要求1所述圖形化的太陽能電池用Ge襯底濕法化學制備方法，其特征在于：所述步驟9）中，在第三腐蝕液中兆聲清洗60～120秒。