[發明專利]一種基于圖形化鍺襯底的三結太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201310152437.2
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103258874A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 占榮
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/18
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種基于圖形化鍺襯底的三節太陽能電池，其特征在于包括Ge底電池，以及順序生長的底電池窗口、中電池底電池隧道結、In_xGa_1-xAs中電池、中電池頂電池隧道結、In_yGa_1-yP頂電池和In_xGa_1-xAs?蓋層接觸層。

2.根據權利要求1所述基于圖形化鍺襯底的三節太陽能電池，其特征在于：

所述Ge底電池由Ge底電池基區和生長在Ge底電池基區上的Ge底電池發射區組成；

所述中電池底電池隧道結由n⁺⁺-InGaP隧道結和生長在n⁺⁺-InGaP隧道結上的p⁺⁺-InAlGaAs隧道結組成；

所述In_xGa_1-xAs中電池由InAlGaAs中電池BSF和順序生長的In_xGa_1-xAs中電池基區、In_xGa_1-xAs中電池發射區、InAlP中電池窗口組成；

所述中電池頂電池隧道結由n⁺⁺-InGaP隧道結和生長在n⁺⁺-InGaP隧道結上的p⁺⁺-InAlGaAs隧道結組成；

所述In_yGa_1-yP頂電池由InAlGaP中電池BSF和順序生長的In_yGa_1-yP頂電池基區、

In_yGa_1-yP頂電池發射區、InAlP頂電池窗口組成。

3.如權利要求1所述基于圖形化鍺襯底的三節太陽能電池的制備方法，其特征在于：先將圖形化Ge襯底通過擴散形成Ge底電池；然后在襯底圖形上直接生長大失配In_xGa_1-xAs中電池；最后生長與中電池晶格匹配的頂電池In_yGa_1-yP。

4.根據權利要求3所述基于圖形化鍺襯底的三節太陽能電池的制備方法，其特征在于所述Ge底電池由P型Ge為基區，擴散的Ⅴ族后的N型鍺為發射區。

5.根據權利要求3所述基于圖形化鍺襯底的三節太陽能電池的制備方法，其特征在于所述底電池窗口的厚度為0.4～0.6μm。

6.根據權利要求6所述基于圖形化鍺襯底的三節太陽能電池的制備方法，其特征在于所述底電池窗口采用InGaP或者InGaAs。