[發明專利]一種剝離涂層下縫隙內電位二維分布測量裝置

有效

• 申請號: 201310152359.6
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN104120430B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 許進;孫成;于長坤;吳堂清;閆茂成;龍康
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: C23F13/22
• 分類號: C23F13/22
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙)21234
• 代理人: 屈芳

1.一種剝離涂層下縫隙內電位二維分布測量裝置，其特征在于，該裝置包括底板、置于底板上并與底板固定的蓋板，其中蓋板與底板之間具有縫隙區，蓋板與底板的兩端通過鉚釘密封固定在一起，蓋板與底板之間設置具有厚度的墊片可造成縫隙，墊片采用PTFE材料；

蓋板一側為溶液區，溶液區與縫隙區相通，另一側上均勻間隔設置了的陣列式鹽橋，蓋板與底板之間對應鹽橋的位置設置有整體矩形試樣放置區，用于放置整塊的金屬試樣；陣列式鹽橋為4×16排列，溶液區內設置有一個與外加電源相連的溶液區輔助電極和一個連接外加電源用的溶液區鹽橋；

該裝置的使用過程如下：采用電化學測量主要是通過在底板上試樣放置區封裝試樣，在蓋板上試樣放置區對應位置封裝輔助電極和鹽橋，將鹽橋外接觸與參比電極連接，從而形成兩電極體系，最終對縫隙內金屬陰極保護電位進行二維測量。