[發明專利]一種電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310152250.2
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103243234A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 黃家強;肖德成;劉家黨;景龍
• 申請（專利權）人: 深圳市同方電子新材料有限公司;深圳市同方新源科技有限公司
• 主分類號: C22C13/00
• 分類號: C22C13/00;C22C1/03;B23K35/24
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 江裕強

1.一種電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料，其特征在于以占該低銀無鉛釬料的質量百分比計，包括如下組分：0.01%~1.0%的Ag、0.01%~1.0%的Cu、0.001%~0.1%的Si、0.001%~0.5%的Pr、0.002%~0.2%的Ge，余量為Sn。

2.根據權利要求1的電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料，其特征在于：Ag占該低銀無鉛釬料的質量百分比為0.01%~0.09%。

3.根據權利要求1的電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料，其特征在于：還包括占所述低銀無鉛釬料質量百分比0~0.8%的V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P中的一種或兩種以上。

4.制備權利要求1所述的電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料的方法，其特征在于包括如下步驟：

（a）分別在真空熔煉爐中制備出含Pr為1％wt?~15％wt的Sn-Pr中間合金和含Si為1％wt?~5％wt的Sn-Si中間合金，備用；其中Pr和Si的用量滿足權利要求1所述的質量百分比?；

（b）將KCl和LiCl的混合鹽于500~550℃加熱熔化后蓋澆在真空熔煉爐內熔融錫的液面上，保溫30~40分鐘；

（c）將步驟（b）蓋澆混合鹽后得到的熔融錫升溫到600~700℃，加入步驟（a）得

到的Sn-Si中間合金，攪拌均勻，保溫30~40分鐘，得到熔融?的Sn-Si合金；

（d）再將步驟（c）中熔融的Sn-Si合金降溫到500~600℃，加入步驟（a）得到的Sn-Pr中間合金，均勻攪拌30~40分鐘，得到熔融的Sn-Si-Pr合金；?

（e）再將熔融的Sn-Si-Pr合金降溫到400~500℃，加入滿足所述質量百分比的Ag、

Cu和Ge，攪拌均勻，保溫60~120分鐘，得到熔融的Sn-Ag-Cu-Si-Pr-Ge合金靜置出爐，澆注在模具中，凝固后去除表面的混合鹽，制得Sn-Ag-Cu-Si-Pr-Ge?系列低銀無鉛釬料，即所述電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料。

5.根據權利要求4所述的制備電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料的方法，其特征在于步驟（b）所述混合鹽中KCl和LiCl的質量百分比為1~3:1。

6.根據權利要求4所述的制備電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料的方法，其特

征在于：所述步驟（c）還加入占最終產品低銀無鉛釬料質量百分比0~0.8%的V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P中的一種或兩種以上，得到Sn-Si與V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P中的一種或兩種以上元素的熔融合金。

7.根據權利要求6所述的制備電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料的方法，其特征在于：步驟（c）中所述V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P分別以含V為1％wt的Sn-V中間合金、含Cr為1％wt的Sn-Cr中間合金、含Mn為1％wt的Sn-Mn中間合金，含Ni為5％wt的Sn-Ni中間合金，含Zr為5％wt的Sn-Zr中間合金，含Pd為5％wt的Sn-Pd和含P為5％wt的Sn-P中間合金形式加入。

8.根據權利要求4所述的制備電子封裝軟釬焊用系列低銀無鉛釬料的方法，其特征在于所述的低銀無鉛釬料還進一步加工成釬料柱、釬料條、釬料絲、釬料球或釬料粉。