[發明專利]GaAs襯底采用AlGaInN緩沖層生長三族氮化物的方法

在審

• 申請號: 201310151866.8
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103258722A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 劉波;馮志紅;張雄文;敦少博;尹甲運;邢東;蔡樹軍
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C30B29/40;C30B25/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 李榮文

1.一種GaAs襯底采用AlGaInN緩沖層生長三族氮化物的方法，其特征在于包括如下工藝步驟：

（1）在GaAs襯底上直接生長AlGaInN緩沖層或者先生長GaAs形核層后再生長AlGaInN緩沖層；

（2）在AlGaInN緩沖層上生長三族氮化物層。

2.根據權利要求1所述的GaAs襯底采用AlGaInN緩沖層生長三族氮化物的方法，其特征在于所述GaAs形核層的生長方式為：先生長低溫GaAs層再生長高溫GaAs層或者直接生長低溫GaAs層或者直接生長高溫GaAs層。

3.根據權利要求1所述的GaAs襯底采用AlGaInN緩沖層生長三族氮化物的方法，其特征在于所述三族氮化物層的生長方式為低溫生長或高溫生長。

4.根據權利要求1所述的GaAs襯底采用AlGaInN緩沖層生長三族氮化物的方法，其特征在于所述三族氮化物為GaN、AlN、InN中的一種。

5.根據權利要求1所述的GaAs襯底采用AlGaInN緩沖層生長三族氮化物的方法，其特征在于生長氣氛為以三甲基鋁作為Al源、三甲基銦作為In源、以氨氣作為N源，以氮氣、氫氣或者氮氫混合氣為載體。