[發明專利]發光二極管結構有效
| 申請號: | 201310151756.1 | 申請日: | 2013-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN104124313B | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發明(設計)人: | 黃冠杰;莊東霖 | 申請(專利權)人: | 新世紀光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/02 | 分類號: | H01L33/02;H01L33/20 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 結構 | ||
1.一種發光二極管結構,其特征在于,包括:
一永久基板,具有一接合面;
一第一圖案化金屬層,形成一第一金屬塊陣列,配置在該永久基板的該接合面上,其中該第一圖案化金屬層暴露出部分該接合面;
一第二圖案化金屬層,形成一第二金屬塊陣列,對應配置在該第一圖案化金屬層上,其中該第二圖案化金屬層暴露出該第一圖案化金屬層所暴露出的該接合面,且該第二圖案化金屬層與該第一圖案化金屬層的接觸面形成共晶結合,其中該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層實質上重合;以及
一半導體磊晶層,配置在該第二圖案化金屬層上。
2.根據權利要求1所述的發光二極管結構,其特征在于,該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層的材質是各選自于金、錫、銅、銦與上述材料的合金所構成的族群。
3.根據權利要求1所述的發光二極管結構,其特征在于,該第一圖案化金屬層暴露出部分該接合面的面積與該接合面的總面積的比值介于0.5至0.9之間。
4.根據權利要求1所述的發光二極管結構,其特征在于,該第一圖案化金屬層包括多個第一金屬,而該第二圖案化金屬層包括多個第二金屬,該些第二金屬與對應的該些第一金屬具有相同形狀。
5.根據權利要求4所述的發光二極管結構,其特征在于,該些第一金屬位于該接合面的周圍。
6.根據權利要求4所述的發光二極管結構,其特征在于,各該第一金屬的形狀與各該第二金屬的形狀為矩形,且各該第一金屬的側邊與各該第二金屬的側邊皆與該永久基板的側邊切齊。
7.根據權利要求4所述的發光二極管結構,其特征在于,該些第一金屬具有相同的形狀。
8.根據權利要求4所述的發光二極管結構,其特征在于,還包括:
一透光材料層,填充在該些第一金屬之間的間隙與該些第二金屬之間的間隙,且至少部分覆蓋該第一圖案化金屬層所暴露出的該接合面。
9.根據權利要求8所述的發光二極管結構,其特征在于,該透光材料層的材質是選自于苯并環丁烯、環氧樹脂、氧化鋁、氧化硅、氮化硅、其他有機黏結材料與上述的組合所構成的族群。
10.根據權利要求1所述的發光二極管結構,其特征在于,該半導體磊晶層包括一第一型半導體層、一第二型半導體層以及一發光層,該發光層位于該第一型半導體層與該第二型半導體層之間,而該第二型半導體層配置在該第二圖案化金屬層與該發光層之間。
11.根據權利要求10所述的發光二極管結構,其特征在于,還包括:
一第一電極,配置在該第一型半導體層上;以及
一第二電極,配置在該第二型半導體層上,其中該第一圖案化金屬層的位置與該第一電極的位置及該第二電極的位置對應設置。
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