[發明專利]GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四結級聯太陽電池的制作方法有效

申請號：	201310151500.0	申請日：	2013-04-27
公開（公告）號：	CN103219414A	公開（公告）日：	2013-07-24
發明（設計）人：	趙勇明;董建榮;李奎龍;孫玉潤;曾徐路;于淑珍;趙春雨;楊輝	申請（專利權）人：	中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
主分類號：	H01L31/0725	分類號：	H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/0304
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地址：	215123 江蘇省蘇州***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	gainp gaas ingaasp ingaas 級聯太陽電池制作方法
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【權利要求書】：

1.一種GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四結級聯太陽電池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作為支撐襯底，在其中一面鍵合一層InP，通過雙面生長技術，分別在GaAs襯底上生長與GaAs?晶格匹配的GaInP/GaAs雙結電池以及在InP層上生長與InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs雙結電池，所述InP的厚度為0.5~10μm。

2.根據權利要求1所述的GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四結級聯太陽電池的制作方法，其特征在于：所述的制作方法具體包括：

1）采用P++雙面拋光GaAs襯底，在其中一面鍵合0.5~10μm的N++?InP層，GaAs襯底與InP層間的接觸形成隧道結；

2）在GaAs襯底上依次生長GaAs緩沖層、GaAs電池、第二隧道結、GaInP電池和GaAs接觸層；

3）在InP層上依次生長InP緩沖層、InGaAsP電池、第一隧道結、InGaAs電池和InGaAs接觸層；

4）分別制作正、負電極和減反膜，最終形成太陽能電池。

3.一種權利要求1或2所述方法制作的GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四結級聯太陽電池。

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