[發明專利]CMOS器件的制造方法

有效

• 申請號: 201310151384.2
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN104124209B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 郭振強;陳瑜;羅嘯;趙階喜;馬斌;陳華倫
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、利用光刻刻蝕工藝在硅襯底上形成淺溝槽，由所述淺溝槽定義出有源區；在所述淺溝槽中填充氧化硅形成淺溝槽場氧，由所述淺溝槽場氧對所述有源區進行隔離；

步驟二、進行離子注入形成CMOS器件的阱區，所述CMOS器件的阱區包括用于形成NMOS器件的P型阱區和用于形成PMOS器件的N型阱區；

步驟三、在所述硅襯底的正面依次生長柵氧化層、多晶硅層，在用于形成NMOS器件的柵極區域的所述多晶硅層中進行N型離子注入、在用于形成PMOS器件的柵極區域的所述多晶硅層中進行P型離子注入；

步驟四、在進行了N型和P型離子注入的所述多晶硅層表面依次沉積金屬硅化鎢層和頂層氮化硅層；

步驟五、采用光刻工藝定義出NMOS器件或PMOS器件的柵極圖形，進行第一次干法異向刻蝕工藝，所述第一次干法異向刻蝕工藝并將NMOS器件或PMOS器件的柵極區域外的所述頂層氮化硅層去除并露出所述金屬硅化鎢層表面；進行第二次干法異向刻蝕工藝，所述第二次干法異向刻蝕工藝將NMOS器件或PMOS器件的柵極區域外所述金屬硅化鎢層部分去除；進行第三次干法同向刻蝕工藝，所述第三次干法同向刻蝕工藝將NMOS器件或PMOS器件的柵極區域外所述金屬硅化鎢層全部去除、且將NMOS器件或PMOS器件的柵極區域內的所述金屬硅化鎢層部分去除；進行第四次干法異向刻蝕工藝，所述第四次干法異向刻蝕工藝將NMOS器件或PMOS器件的柵極區域外所述多晶硅層去除，所述第四次干法異向刻蝕工藝完成后在NMOS器件或PMOS器件的柵極區域內形成由所述多晶硅層、所述金屬硅化鎢層和所述頂層氮化硅層組成的柵極結構。

2.如權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于：在步驟五形成所述柵極結構之后還包括如下步驟：

步驟六、在所述硅襯底正面沉積側墻介質層，對所述側墻介質層進行刻蝕并在所述柵極結構的側面形成有刻蝕后余下的所述側墻介質層組成的側墻；

步驟七、在形成所述側墻后的所述硅襯底正面沉積層間膜，所述層間膜將所述柵極結構以及所述柵極結構外的區域全部覆蓋；

步驟八、采用光刻工藝定義出自對準接觸孔區域，對所述自對準接觸孔區域的所述層間膜全部去除形成自對準接觸孔，所述自對準接觸孔的底部區域大小由相鄰兩個所述柵極結構的所述側墻之間的距離自定義。