[發(fā)明專利]耐高溫太陽能選擇性吸收鍍層及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310151298.1
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103234293A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏建業(yè);楊紀(jì)忠;楊沐暉
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇夏博士節(jié)能工程股份有限公司
• 主分類號: F24J2/50
• 分類號: F24J2/50;C23C14/06
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 張素卿

1.一種耐高溫太陽能選擇性吸收鍍層，包括以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層的載體，其特征在于：在以金屬/玻璃成型材料基所作的所述鍍層載體的一側(cè)表面，由內(nèi)到外依次有金屬底層（1），鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層（2），氮鋁化鈦高填充因子吸收層（3），氮鋁化鈦低填充因子吸收層（4），鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層（5）和氮化鋁減反射層（6）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫太陽能選擇性吸收鍍層，其特征在于：所述金屬底層（1）是銅膜層或銀膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫太陽能選擇性吸收鍍層，其特征在于：金屬底層（1）的厚度在100~150nm范圍內(nèi)；鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層（2）的厚度在30~50nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦高填充因子吸收層（3）的厚度在50~80nm范圍內(nèi)；氮鋁化鈦低填充因子吸收層（4）的厚度在75~120nm范圍內(nèi)；鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層（5）的厚度在15~30nm范圍內(nèi)；氮化鋁減反射層（6）的厚度在75~100nm范圍內(nèi)。

4.一種制備如權(quán)利要求1所述的耐高溫太陽能選擇性吸收鍍層的方法，以真空磁控濺射鍍膜機(jī)為加工設(shè)備，以清潔金屬/玻璃成型材料基為所述鍍層載體，其特征在于，所述制備方法依次按照如下步驟連續(xù)進(jìn)行：

a，將金屬/玻璃成型材料基置入所述鍍膜機(jī)腔體內(nèi)，在氬氣氣氛中，開金屬靶，濺射沉積金屬底層（1），直至所需厚度；其工藝策略是：氬氣流量90-110SCCM，金屬靶電流38-40A，濺射電壓350-400V，維持腔體真空度2.5×10^-1pa；

b，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在金屬底層（1）上沉積鈦-氮化鈦第一防擴(kuò)散層（2），直至所需厚度；其工藝策略是：氬氣流量90-110sccm，氮?dú)饬髁?0-90sccm，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5×10^-1pa；

c，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在第一防擴(kuò)散層（2）上沉積氮鋁化鈦（3）高填充因子吸收層（3），直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110sccm，氮?dú)饬髁?00-140sccm，Ti靶電流40-42A，濺射電壓410-430V，Al靶電流40-42A，濺射電壓400-410V，維持腔體真空度2.5×10^-1pa；

d，采用Ti靶、Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在高填充因子吸收層（3）上沉積氮鋁化鈦低填充因子吸收層（4），直至所需厚度，其工藝策略是；氬氣流量90-110sccm，氮?dú)饬髁?00-140sccm，Ti靶電流15-18A，濺射電壓380V-400V，Al靶電流40-42A，濺射電壓360-380V，維持腔體真空度2.5×10^-1pa；

e，采用Ti靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在氮鋁化鈦低填充因子吸收層（4）上沉積鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層（5），直至所需厚度，其工藝策略是：氬氣流量90-110sccm，氮?dú)饬髁?0-90sccm，Ti靶電流40-45A，濺射電壓400-420V，維持腔體真空度2.5×10^-1pa；

f，采用Al靶在氬氣、氮?dú)獾幕旌蠚怏w中反應(yīng)濺射，在鈦-氮化鈦第二防擴(kuò)散層（5）上沉積氮化鋁減反層（6），直至所需厚度；其工藝策略是：氬氣流量90-110sccm，氮?dú)饬髁?0-100sccm，Al靶電流40-42A，濺射電壓310-330V，維持腔體真空度2.5×10^-1pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的耐高溫太陽能選擇性吸收鍍層的制備方法，其特征在于：所述各個(gè)步驟的濺射時(shí)間由所需鍍層厚度決定，而其鍍層厚度每10nm的濺射時(shí)間，控制在0.5~1min范圍內(nèi)。