[發明專利]適用于高壓環境的雷電防護電路

無效

• 申請號: 201310151225.2
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103248032A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 黃友華
• 申請（專利權）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種雷電防護電路，更具體的說是涉及一種適用于高壓環境的雷電防護電路。

背景技術

????在夏季，雷雨多發季節，雷電經常發生。在各個方面的雷電防護電路應有盡有，但是，其大多為在低電壓環境中使用。而在高壓環境中使用的防雷電路其電路結構都較為復雜。

發明內容

本發明提供一種適用于高壓環境的雷電防護電路，其可應用于高壓環境，且電路結構簡單。

為解決上述的技術問題，本發明采用以下技術方案：

適用于高壓環境的雷電防護電路，它包括P型場效應管MOS1、P型場效應管MOS2、N型場效應管MOS3、N型場效應管MOS4、穩壓二極管D1和電阻R1；所述的P型場效應管MOS1的源極與柵極相連且同時連接在VDD上；所述的P型場效應管MOS2的源極與柵極相連且同時連接在P型場效應管MOS1的漏極上；所述的N型場效應管MOS3的漏極與P型場效應管MOS2的漏極相連，N型場效應管MOS3柵極與源極相連且同時連接在N型場效應管MOS4的漏極上；所述的N型場效應管MOS4的柵極連接在源極上且同時接地；所述的穩壓二極管D1的正極連接在N型場效應管MOS4的源極上，正極連接在VDD上，所述的電阻R1的一端與P型場效應管MOS2的漏極相連。

更進一步的技術方案是:

所述的穩壓二極管D1上串聯有穩壓二極管D2。

所述的電阻R1的阻值為7000歐姆。

所述的P型場效應管MOS1、P型場效應管MOS2、N型場效應管MOS3和N型場效應管MOS4襯底均與其的源級相連接。

在本發明中，電阻R1的兩端分別連接在設備的IO端口和內部電路之間，且與內部電路連接的一端同時連接在P型場效應管MOS2的漏極上。當雷電從IO端口進入時，電阻R1起限流作用。P型場效應管MOS1、P型場效應管MOS2、N型場效應管MOS3、N型場效應管MOS4、穩壓二極管D1和穩壓二極管D2分別提供多條雷電泄放通路講雷電泄放掉。由于P型場效應管MOS1和P型場效應管MOS2串聯，N型場效應管MOS3和N型場效應管MOS4串聯，穩壓二極管D1和穩壓二極管D2串聯，使得該電路的抗壓能力增強，使其適用于高壓環境。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

1、本發明的電路結構簡單，便于實現。

2、本發明的電路提供多條雷電泄放電路，有效的講雷電泄放掉，使其具有良好的防雷效果。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。

圖1為本發明的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的說明。本發明的實施方式包括但不限于下列實施例。

[實施例]

如圖1所示的適用于高壓環境的雷電防護電路，它包括P型場效應管MOS1、P型場效應管MOS2、N型場效應管MOS3、N型場效應管MOS4、穩壓二極管D1和電阻R1；所述的P型場效應管MOS1的源極與柵極相連且同時連接在VDD上；所述的P型場效應管MOS2的源極與柵極相連且同時連接在P型場效應管MOS1的漏極上；所述的N型場效應管MOS3的漏極與P型場效應管MOS2的漏極相連，N型場效應管MOS3柵極與源極相連且同時連接在N型場效應管MOS4的漏極上；所述的N型場效應管MOS4的柵極連接在源極上且同時接地；所述的穩壓二極管D1的正極連接在N型場效應管MOS4的源極上，正極連接在VDD上，所述的電阻R1的一端與P型場效應管MOS2的漏極相連。

所述的穩壓二極管D1上串聯有穩壓二極管D2。

所述的電阻R1的阻值為7000歐姆。

所述的P型場效應管MOS1、P型場效應管MOS2、N型場效應管MOS3和N型場效應管MOS4襯底均與其的源級相連接。

如上所述即為本發明的實施例。本發明不局限于上述實施方式，任何人應該得知在本發明的啟示下做出的結構變化，凡是與本發明具有相同或相近的技術方案，均落入本發明的保護范圍之內。