[發(fā)明專利]超淺結(jié)的制造

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310150852.4
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN103972060B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王立廷;聶俊峰;姚松偉
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種在半導(dǎo)體襯底中形成超淺結(jié)的方法，所述方法包括以下步驟：

通過執(zhí)行預(yù)非晶化注入步驟在所述半導(dǎo)體襯底中形成非晶化區(qū)域；

通過執(zhí)行單層摻雜步驟在所述非晶化區(qū)域中注入摻雜物；以及

熱處理所述半導(dǎo)體襯底，以激活在所述非晶化區(qū)域中注入的所述摻雜物，從而在所述半導(dǎo)體襯底中形成超淺結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，從由鍺、硼、氮、銦、砷、碳、氙、銻和氬所構(gòu)成的組中選擇用于所述預(yù)非晶化注入步驟的摻雜物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，從由硼、鋁、鎵、銦、鉈、氮、碳、氟、磷、砷、銻和鉍所構(gòu)成的組中選擇注入的所述摻雜物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱處理步驟包括執(zhí)行低溫?zé)嵬嘶稹⒖焖贌嵬嘶稹⑺查g退火、尖峰退火或激光退火步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在經(jīng)過注入的所述非晶化區(qū)域上沒有設(shè)置任何氧化物蓋的情況下執(zhí)行所述熱處理步驟。

6.一種在半導(dǎo)體襯底中形成超淺結(jié)的方法，所述方法包括以下步驟：

通過執(zhí)行預(yù)非晶化注入步驟在所述半導(dǎo)體襯底中形成非晶化區(qū)域；

通過執(zhí)行第一單層摻雜步驟在所述非晶化區(qū)域中注入第一摻雜物；

通過執(zhí)行第二單層摻雜步驟在所述非晶化區(qū)域中注入第二摻雜物；以及

熱處理所述半導(dǎo)體襯底，以激活在所述非晶化區(qū)域中注入的摻雜物，從而在所述半導(dǎo)體襯底中形成超淺結(jié)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，從由鍺、硼、氮、銦、砷、碳、氙、銻和氬所構(gòu)成的組中選擇用于所述預(yù)非晶化注入的摻雜物。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述熱處理步驟包括執(zhí)行低溫?zé)嵬嘶稹⒖焖贌嵬嘶稹⒓夥逋嘶稹⒖焖偻嘶鸹蚣す馔嘶鸩襟E。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，從由硼、鋁、鎵、銦、鉈、氮、碳、氟、磷、砷、銻和鉍所構(gòu)成的組中選擇所述第一摻雜物。

10.一種在半導(dǎo)體襯底中提供具有激活的摻雜物的超淺結(jié)的方法，所述方法包括以下步驟：

在所述半導(dǎo)體襯底中形成非晶化區(qū)域；

通過執(zhí)行單層摻雜步驟在所述非晶化區(qū)域中注入第一摻雜物；以及

激活所述第一摻雜物，其中，所述激活包括再結(jié)晶所述非晶化區(qū)域，

其中，在經(jīng)過注入的所述結(jié)晶區(qū)域上沒有設(shè)置任何氧化物蓋的情況下執(zhí)行激活所述第一摻雜物的步驟。