[發明專利]一種二維等離子體光子晶體帶隙控制方法

有效

• 申請號: 201310150602.0
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103235361A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 楊利霞;陳偉;施衛東;許紅蕾;鄭晶
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;H05H1/24;G02F1/01
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種二維等離子體光子晶體帶隙控制方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟一:建立二維等離子體光子晶體模型，利用模型的反射系數，獲取二維等離子體光子晶體帶隙大??；

步驟二：利用高斯脈沖函數來表示等離子體頻率，通過高斯脈沖函數表達式的變化來調節和控制二維等離子體光子晶體帶隙大小。

2.一種如權利要求1所述的二維等離子體光子晶體帶隙控制方法，其特征在于所述步驟一具體為：利用時域有限差分方法對單個元胞建立矩形實體模型，位于矩形實體模型的中間位置的矩形模型背景介質與矩形實體模型的兩個對邊留有間隙、與另兩個對邊完全重合，矩形模型背景介質的介電常數ε₂大于0；在背景介質中均勻地鑲嵌入N個完全相同的等離子體介質，等離子體介質的介電常數記為ε₃；在單個元胞的矩形實體模型中與矩形模型背景介質留有間隙的兩個對邊的外側緊貼對邊分別增加UPML吸收邊界，在吸收邊界和背景介質之間填充介電常數為ε₁的空氣；利用激勵源打到整個矩形實體模型上，在吸收邊界和背景介質填充空氣的空間建立一個用于記錄其激勵源的入射和反射情況的觀察平面。

3.一種如權利要求1所述的二維等離子體光子晶體帶隙控制方法，其特征在于所述步驟二具體為：

將二維等離子體頻率????????????????????????????????????????????????以高斯脈沖形式的周期函數表示為

?????????（1）

為正數，用于調制的幅值，k₂為高斯脈沖函數的寬度，k₁代表沿x軸方向的脈沖寬度，0<k₁<；k₂代表沿y軸方向的脈沖寬度，0<k₂<；通過改變k_1?、k₂取值的大小得到不同反射系數，從而形成不同的二維等離子體光子晶體帶隙大小。