[發(fā)明專利]圖案化基板及發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310150452.3 | 申請日: | 2013-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN103378248A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林博文;許世杰;彭俊彥;徐文慶 | 申請(專利權(quán))人: | 兆遠科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/20 | 分類號: | H01L33/20 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 趙根喜;呂俊清 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖案 化基板 發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種圖案化基板,其特征在于,包括:
一基板;以及
多個突出體,所述多個突出體位于該基板上,每一個突出體具有一頂面及一底部,每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間最短的距離為0至0.2微米。
2.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,上述每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間的距離為0,上述每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部互相連接。
3.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,該圖案化基板為藍寶石基板、硅基板及碳化硅基板之中的其中一種。
4.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,該頂面直徑與每2個頂面之間距離的比值介于1/5至5之間。
5.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,每2個頂面之間的距離小于等于10微米,每2個頂面之間的距離為介于0.3至2.5微米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,每一個突出體為多角錐狀體,該頂面為水平的平面,該底部具有多個底角及多個底邊,每一個突出體以所述多個底角分別連接或鄰近于相鄰的突出體所對應(yīng)的底角或所對應(yīng)的底邊。
7.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,每一個突出體為圓錐狀體,該頂面為水平的平面,該底部具有一圓弧形底邊,每一個突出體以該底邊連接或鄰近于相鄰的突出體的該底邊,而組合排列成矩陣的型態(tài)或交錯的型態(tài)。
8.如權(quán)利要求1所述的圖案化基板,其特征在于,每一個突出體為長條梯形體,該頂面為水平的平面,該底部于長邊方向具有兩底邊,每一個突出體以上述兩底邊連接或鄰近于相鄰的突出體的該底邊。
9.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
一基板;
多個突出體,所述多個突出體位于該基板上,每一個突出體具有一頂面及一底部,每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間最短的距離為0至0.2微米,且每兩個相鄰?fù)怀鲶w之間具有一空孔;
一第一半導(dǎo)體層,該第一半導(dǎo)體層設(shè)置于該基板上,且該第一半導(dǎo)體層覆蓋所述多個突出體;
一發(fā)光層,該發(fā)光層設(shè)置于部分該第一半導(dǎo)體層上;
一第二半導(dǎo)體層,該第二半導(dǎo)體層設(shè)置于該發(fā)光層上;
一第一電極,該第一電極設(shè)置于未覆蓋有該發(fā)光層的該第一半導(dǎo)體層的上方;以及
一第二電極,該第二電極設(shè)置于該第二半導(dǎo)體層上;
其中,當上述每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間最短的距離為0時,上述每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間為互相連接。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,該圖案化基板為藍寶石基板、硅基板及碳化硅基板之中其中一種。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,每一個突出體為多角錐狀體,該頂面為水平的平面,該底部具有多個底角及多個底邊,每一個突出體以所述多個底角分別連接或鄰近于相鄰之突出體所對應(yīng)的底角或所對應(yīng)的底邊。
12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,每一個突出體為圓錐狀體,該頂面為水平的平面,該底部具有一圓弧形底邊,每一個突出體以該底邊連接或鄰近于相鄰的突出體的該底邊,而組合排列成矩陣的型態(tài)或交錯的型態(tài)。
13.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,每一個突出體為長條梯形體,該頂面為水平的平面,該底部于長邊方向具有兩底邊,每一個突出體以上述兩底邊連接或鄰近于相鄰的突出體的該底邊。
14.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
一基板;
多個突出體,所述多個突出體位于該基板上,每一個突出體具有一頂面及一底部,每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間最短的距離為0至0.2微米,且每兩個相鄰?fù)怀鲶w之間具有一空孔;
一第一半導(dǎo)體層,該第一半導(dǎo)體層設(shè)置于該基板上,且該第一半導(dǎo)體層覆蓋所述多個突出體;
一發(fā)光層,該發(fā)光層設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層上;
一第二半導(dǎo)體層,該第二半導(dǎo)體層設(shè)置于該發(fā)光層上;以及
一第一電極,該第一電極設(shè)置于該第二半導(dǎo)體層上;
其中,當上述每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間最短的距離為0時,上述每兩個相鄰?fù)怀鲶w的兩底部之間為互相連接。
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