[發(fā)明專利]釤摻雜氮化硅發(fā)光材料、制備方法及其應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310150177.5
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN104119864A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;陳吉星;王平;張振華
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種釤摻雜氮化硅發(fā)光材料、其制備方法、釤摻雜氮化硅發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】

薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的釤摻雜氮化硅發(fā)光材料，仍未見報道。

【發(fā)明內(nèi)容】

基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的釤摻雜氮化硅發(fā)光材料、其制備方法、釤摻雜氮化硅發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該釤摻雜氮化硅發(fā)光材料的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種釤摻雜氮化硅發(fā)光材料，其化學(xué)式為Me₂Si₅N₈∶xSm³⁺，其中Me₂Si₅N₈是基質(zhì)，釤離子是激活元素，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素、鍶元素和鋇元素中的一種。

一種釤摻雜氮化硅發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟：

根據(jù)Me₂Si₅N₈∶xSm³⁺各元素的化學(xué)計量比稱取Me₃N₂，Si₃N₄和SmN粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素、鍶元素和鋇元素中的一種；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時～5小時即得到化學(xué)式為Me₂Si₅N₈∶xSm³⁺的釤摻雜氮化硅發(fā)光材料。

一種釤摻雜氮化硅發(fā)光薄膜，該釤摻雜氮化硅發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me₂Si₅N₈∶xSm³⁺，其中Me₂Si₅N₈是基質(zhì)，釤離子是激活元素，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素、鍶元素和鋇元素中的一種。

一種釤摻雜氮化硅發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據(jù)Me₂Si₅N₈∶xSm³⁺各元素的化學(xué)計量比稱取Me₃N₂，Si₃N₄和SmN粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時～5小時制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鋅元素、鎂元素、鈣元素、鍶元素和鋇元素中的一種；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃，濺射功率80～300W，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為Me₂Si₅N₈∶xSm³⁺的釤摻雜氮化硅發(fā)光薄膜。

所述Me₃N₂，Si₃N₄和SmN粉體的摩爾比為2：5：（0.03～0.15）。

所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強為2Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為25sccm，襯底溫度為500℃，濺射功率100W。