[發明專利]用于輸出特定單一模式激光的增益光纖

有效

• 申請號: 201310150111.6
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN103257394A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 王文亮;黃良金;冷進勇;孔令超;黃值河;王睿星;曹澗秋;郭少鋒;許曉軍;陳金寶;姜宗福;劉澤金
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036;H01S3/067
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所 43008
• 代理人: 趙洪;楊斌

1.一種用于輸出特定單一模式激光的增益光纖，所述增益光纖由內向外依次包括纖芯、包層和涂覆層，所述包層為單包層或雙包層，所述纖芯的折射率大于包層的折射率，其特征在于，所述增益光纖的纖芯內包含有稀土離子摻雜區，所述稀土離子摻雜區在纖芯內的分布區域與增益光纖預輸出的特定單一模式激光的光強分布具有對應關系，所述對應關系是指稀土離子摻雜區在纖芯內分布的區域范圍即是所述特定單一模式激光在纖芯內的光強分布中I＞(1/2)I_max的區域范圍，其中，I為特定單一模式激光在纖芯內任意一點的光強，I_max為特定單一模式激光光強的極大值，且I_max的個數大于或等于1。

2.根據權利要求1所述的用于輸出特定單一模式激光的增益光纖，其特征在于，所述稀土離子摻雜區在順著纖芯軸向的各橫截面上具有相同的分布。

3.根據權利要求1或2所述的用于輸出特定單一模式激光的增益光纖，其特征在于，所述稀土離子摻雜區中，稀土離子為均勻分布。

4.根據權利要求3所述的用于輸出特定單一模式激光的增益光纖，其特征在于，所述稀土離子摻雜區中，稀土離子的摻雜濃度為1000ppm～10000ppm。

5.根據權利要求4所述的用于輸出特定單一模式激光的增益光纖，其特征在于，所述稀土離子包括鐿離子或鉺離子。

6.根據權利要求1所述的用于輸出特定單一模式激光的增益光纖，其特征在于，所述特定單一模式激光包括LP₀₁模、LP₁₁模、LP₂₁?；騆P₀₂模。