[發明專利]一種無機電致發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201310149226.3
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN104124316B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 馬向陽;楊揚;楊德仁
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L33/26
• 分類號: H01L33/26;H01L33/00;H01L33/52;H01L33/50
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種無機電致發光器件，其特征在于：包括襯底、自下而上依次沉積在襯底正面的發光層、第一勢壘層和透明電極層、以及沉積在襯底背面的歐姆接觸電極；所述的襯底為導電的無機材料，所述的發光層為摻雜稀土的第一氧化物薄膜，所述的第一勢壘層為禁帶寬度大于發光層0.2～1eV的第二氧化物薄膜,所述的第一勢壘層的厚度為50～200nm。

2.根據權利要求1所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的襯底與發光層之間沉積有第二勢壘層，所述的第二勢壘層為禁帶寬度大于發光層0.2～1eV的第二氧化物薄膜，所述的第二勢壘層的厚度為50～200nm。

3.根據權利要求1所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的發光器件還包括封裝層和/或緩沖層。

4.根據權利要求3所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的封裝層為有機或無機薄膜。

5.根據權利要求4所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的封裝層材料選自玻璃、環氧樹脂、電子鋁箔或銅箔、紫外線或熱固性樹脂。

6.根據權利要求4所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的封裝層材料為高分子聚合物。

7.根據權利要求4所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的封裝層材料是有機玻璃。

8.根據權利要求3所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的緩沖層為提高電子和/或空穴注入效率的有機或無機薄膜。

9.根據權利要求7所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的緩沖層材料選自三喹諾啉鋁絡合物、單喹諾啉鋰絡合物、金屬酞菁、石墨烯薄膜。

10.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的第一勢壘層或第二勢壘層的厚度為80～150nm。

11.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜的材料可相同或不同，所述的第一氧化物、第二氧化物分別選自氧化鋅、氧化鎂、氧化鐵、氧化鈦、氧化鉻、氧化錳、氧化鈷、氧化鎳、氧化鎘、氧化鉬、氧化鋁、氧化鎵、氧化錫、氧化銦中的任意一種或任意多種。

12.根據權利要求11所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的氧化物為氧化鋅薄膜。

13.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的第一勢壘層或第二勢壘層為金屬摻雜的第二氧化物薄膜。

14.根據權利要求13所述的無機電致發光器件，所述的第一勢壘層或第二勢壘層為摻鎂的氧化鋅薄膜。

15.根據權利要求14所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述摻鎂的氧化鋅薄膜中鎂的摻入量為原子比10～60％。

16.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的稀土是鑭系稀土元素，選自Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一種或任意多種。

17.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的摻雜稀土的第一氧化物薄膜中稀土的摻入量為原子比1～5％。

18.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的發光層的厚度為50～200nm。

19.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的透明電極層為在可見以及紅外光區具有大于20％透過率的導電薄膜。

20.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的歐姆接觸電極為不易氧化的金屬薄膜，所述的金屬選自鋁、鎳、金、鉑、銦、銅中的任意一種或任意多種。

21.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的襯底選自硅襯底、導電玻璃、石墨。

22.根據權利要求1-9任一項所述的無機電致發光器件，其特征在于：所述的第一勢壘層或第二勢壘層為摻鎂的氧化鋅薄膜。