[發(fā)明專利]封裝組件中的應力消除結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310148730.1
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN103811429B
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設計）人: 陳憲偉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/16
• 分類號: H01L23/16
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體封裝結構，包括：

襯底；

管芯區(qū)，具有設置在所述襯底上的一個或多個管芯；以及

至少一個應力消除結構，設置在所述襯底的一個或多個角上，所述至少一個應力消除結構與所述一個或多個管芯中的至少一個管芯相鄰；

加強環(huán)，所述加強環(huán)在所述襯底的邊緣延伸且環(huán)繞所述襯底上的一個或多個所述管芯。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構包括選自由導熱材料、金屬、鎢、鋁、鋁合金、多晶硅、硅化物、鉭、耐火金屬、銅、銅合金、金、金合金、TaN、鈦、TiN、鎳、及它們的組合所組成的組中的材料。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構具有選自由正方形、矩形、三角形、圓形、L形、T形、斷條形、矩形陣列、十字形、和多邊形所組成的組中的不規(guī)則形狀。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構具有任意的尺寸、任意的厚度、和/或任意的方向。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構的材料與所述襯底和/或管芯的材料基本相同。

6.一種半導體封裝結構，包括：

襯底；

管芯區(qū)，具有設置在所述襯底上的一個或多個管芯；以及

至少一個應力消除結構，設置在所述襯底的邊緣且在所述襯底的一個或多個中間位置處，所述至少一個應力消除結構與所述一個或多個管芯中的至少一個管芯相鄰；

加強環(huán)，所述加強環(huán)在所述襯底的邊緣延伸且環(huán)繞所述襯底上的一個或多個所述管芯。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構包括選自由導熱材料、金屬、鎢、鋁、鋁合金、多晶硅、硅化物、鉭、耐火金屬、銅、銅合金、金、金合金、TaN、鈦、TiN、鎳、及它們的組合所組成的組中的材料。

8.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構具有選自由正方形、矩形、三角形、圓形、L形、T形、斷條形、矩形陣列、十字形、和多邊形所組成的組中的不規(guī)則形狀。

9.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構具有任意的尺寸、任意的厚度、和/或任意的方向。

10.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構的材料與所述襯底和/或管芯的材料基本相同。

11.一種半導體封裝結構，包括：

襯底；

管芯區(qū)，具有一個或多個管芯，所述一個或多個管芯中的至少一個管芯大于其他管芯，所述一個或多個管芯設置在所述襯底上；以及

至少一個應力消除結構，設置為與大于所述其他管芯的所述至少一個管芯的一個或多個角相鄰；

加強環(huán)，所述加強環(huán)在所述襯底的邊緣延伸且環(huán)繞所述襯底上的一個或多個所述管芯。

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構包括選自由導熱材料、金屬、鎢、鋁、鋁合金、多晶硅、硅化物、鉭、耐火金屬、銅、銅合金、金、金合金、TaN、鈦、TiN、鎳、及它們的組合所組成的組中的材料。

13.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構具有選自由正方形、矩形、三角形、圓形、L形、T形、斷條形、矩形陣列、十字形、和多邊形所組成的組中的不規(guī)則形狀。

14.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構具有任意的尺寸、任意的厚度、和/或任意的方向。

15.一種半導體封裝結構，包括：

襯底；

管芯區(qū)，具有設置在所述襯底上的一個或多個管芯；以及

至少一個應力消除結構，設置為與所述一個或多個管芯中的至少一個管芯相鄰，所述應力消除結構是從靠近所述襯底的一個邊緣延伸到所述管芯區(qū)的條形結構；

加強環(huán)，所述加強環(huán)在所述襯底的邊緣延伸且環(huán)繞所述襯底上的一個或多個所述管芯。

16.根據(jù)權利要求15所述的半導體封裝結構，其中，所述應力消除結構從所述襯底的一個邊緣延伸到所述襯底的相對邊緣。