[發明專利]具有字級功率門控的存儲器

有效

• 申請號: 201310148193.0
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN103377691B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 楊家南;M·W·杰頓;T·W·里斯頓
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: G06F1/26
• 分類號: G06F1/26;G11C8/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

根據至少一個實施例，提供了字級存儲器功率門控。根據至少一個實施例，一種通過添加額外控制位到存儲器陣列的每個子陣列（例如，每一個字、每一行、每一字線、每一位線、陣列的每一部分等等）而實現的字級功率門控技術，為存儲器陣列提供了細粒度的功率降低。根據至少一個實施例，給每個子陣列（例如，每一個字、每一行、每一字線、每一位線、陣列的每一部分等等）提供門控晶體管。

技術領域

本公開通常涉及電子裝置，以及更具體地，涉及具有電子存儲器的裝置。

背景技術

低功率存儲器設計一直是多年的研究領域，并且功率門控已成為一種被用于將存儲器單元陣列置于睡眠模式或關斷模式的工業化技術。這種技術對于管理功率消耗可能是低效的，例如，當小部分的存儲器陣列需要保持激活時，設想的陣列級功率門控（gating）的好處可能在很大程度上被否定。

概述

根據本發明一個方面，提供了一種方法，包括：響應于功率控制存儲器單元被選擇性地耦接到功率控制選擇線，基于所述功率控制選擇線的功率控制選擇線狀態，控制所述功率控制存儲器單元的功率控制存儲器單元狀態；以及基于所述功率控制存儲器單元狀態門控至存儲器陣列的子陣列的數據存儲器單元的功率。

根據本發明另一方面，提供了一種裝置，包括：功率控制存儲器單元；數據存儲器單元功率開關，耦接于所述功率控制存儲器單元，并且受控于所述功率控制存儲器單元的功率控制存儲器單元狀態；以及存儲器陣列，包括多個子陣列，其中所述多個子陣列包括第一子陣列和其它陣列，其中所述第一子陣列包括多個數據存儲器單元，其中所述數據存儲器單元功率開關耦接到所述多個數據存儲器單元并且控制至所述多個數據存儲器單元的功率。

附圖說明

通過參考附圖，可以更好地理解本發明，并且本領域技術人員將明了其各特征。

圖1是根據至少一個實施例的帶有細粒度功率門控的低功率存儲器裝置的框圖。

圖2是根據至少一個實施例的帶有細粒度功率門控的一行存儲器單元的示意圖。

圖3是根據至少一個實施例帶有包括字線驅動器功率門控的細粒度功率門控的一行存儲器單元的示意圖。

圖4是根據至少一個實施例的帶有包括字線驅動器功率門控的細粒度功率門控的一行存儲器單元的更加詳細的示意圖。

圖5是根據至少一個實施例的帶有細粒度功率門控的低功率存儲器裝置的時序圖。

在不同附圖中使用相同的參考符號來表示類似或相同的元素。

具體實施方式

本發明公開了一種存儲器陣列，其促進了存儲器陣列的子陣列部分的存儲器功率門控。根據本公開的至少一個實施例，是通過添加額外控制位到存儲器陣列的每個子陣列（例如，每一字、每一行、每一字線、每一位線、陣列的每一部分，等等）來啟用存儲器功率門控，以實現存儲器陣列的細粒度功率降低。所述控制位可以以與存儲器陣列的其它位類似的方式被處理并且被寫入。根據至少一個實施例，為每個陣列（例如，每一字、每一行、每一字線、每一位線、陣列的每一部分，等等）提供門控晶體管。