[發明專利]提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法

無效

• 申請號: 201310147784.6
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN103325680A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 包興坤
• 申請（專利權）人: 蘇州硅智源微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L23/552;H01L29/73
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：該集成電路包括一個NPN雙極型三極管，該三極管已經形成了體積可變厚度的氧化層，一種改善三極管抗輻射的方法組成步驟：去除可變厚度的氧化層；使三極管形成一個預設體積的第一個新的氧化層，且這一預設體積小于去除的氧化層的體積，以減少輻射對NPN雙極型三極管損壞的概率。

2.根據權利要求1所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：去除三極管表面的氧化層的步驟包括：在暴露表面的區域植入一層N型摻雜層，即砷物質；其中N型摻雜層的濃度和第一個新的氧化層厚度的選擇要使得三極管能產生理想的磁場閾值電壓。

3.根據權利要求1所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：三極管表面的氧化層厚度大致均勻，即不超過5000埃；第一個新的氧化層上有一個玻璃層，該玻璃層是在低溫下化學沉積氧化而形成，其厚度不超過5000埃。

4.根據權利要求1所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：該集成電路包括一個NPN三極管，一個已經形成的厚度可變的氧化層，一種改善三極管抗輻射的方法組成步驟：去除三極管上已經形成的可變厚度的氧化層，使得三極管的表面顯露出來；在其表面植入一個N型摻雜層，以設置其閾值電壓；三極管形成第一個新的氧化層，新的氧化層比去除的氧化層的總體積少；新的氧化層上有一個玻璃層，該玻璃層是在低溫下化學沉積氧化而形成，其厚度不超過5000埃。

5.根據權利要求1所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：該集成電路包括一個PNP雙極型三極管，該三極管已經形成了體積可變厚度的氧化層，一種改善三極管抗輻射的方法組成步驟：去除可變厚度的氧化層；使三極管形成第一個預設體積的新的氧化層，且這一預設體積小于去除的氧化層的體積，以減少輻射對NPN雙極型三極管損壞的概率。

6.根據權利要求5所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：第一個新的氧化層的厚度不超過5000埃，步驟還包括：去除覆蓋在三極管發射極和基極區域上第一個新的氧化層；并且在其發射極和基極區形成第二個新的氧化層，第二個新的氧化層的厚度小于第一個新的氧化層的厚度，即使得第二個新的氧化層的厚度不超過1000埃。

7.根據權利要求5和6所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：去除三極管表面的氧化層的步驟包括：在暴露表面的區域植入一層N型摻雜層，即砷物質；其中N型摻雜層的濃度和第一個新的氧化層厚度的選擇要使得三極管能產生理想的磁場閾值電壓；第一個新的氧化層上有一個玻璃層，該玻璃層的厚度不超過5000埃；在第一個新的氧化層和第二個新的氧化層上形成一個玻璃層，該玻璃層的厚度不超過5000埃。

8.根據權利要求5所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：根據權利要求1所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：該集成電路包括一個PNP雙極型三極管，該三極管已經形成了體積可變厚度的氧化層，一種改善三極管抗輻射的方法組成步驟：去除三極管上已經形成的可變厚度的氧化層，使得三極管的表面顯露出來；在其表面植入一個N型摻雜層，以設置其閾值電壓；三極管表面形成第一個新的氧化層，第一個新的氧化層厚度大致均勻；去除覆蓋在三極管發射極區域的第一個新的氧化層；在三極管的發射極和基極區域形成第二個新的氧化層，使得第二個新的氧化層的厚度小于第一個新的氧化層的厚度，從而，第一個和第二個新的氧化層去除的整體的體積和比去除的氧化層的體積小。

9.根據權利要求8所述的提高集成電路雙極型三極管抗輻射的方法，其特征是：第一個新的氧化層的厚度不超過5000埃，第二個新的氧化層的厚度不超過1000埃；第一個新的氧化層和第二個新的氧化層上形成了一個玻璃層，該玻璃層的厚度不超過5000埃。