[發明專利]半導體器件和制造該半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310147602.5
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN103633126B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 樸辰哲
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導體器件，包括：

半導體基板，其包括單元區域、位于所述單元區域的一側的第二墊區域、以及設置在所述單元區域與所述第二墊區域之間的第一墊區域，所述第一墊區域是與所述單元區域和所述第二墊區域連續的；

第一埋入式柵極，其埋入到溝槽中，并且從所述單元區域延伸到所述第二墊區域；

第二埋入式柵極，其在所述溝槽中設置在所述第一埋入式柵極上方，與所述第一埋入式柵極的上部間隔開，并且從所述單元區域延伸至所述第一墊區域；

第一金屬觸點，其連接至所述第一埋入式柵極的端部；以及

第二金屬觸點，其連接至所述第二埋入式柵極的端部，

其中，在所述第一墊區域和所述第二墊區域中，多個所述第一金屬觸點和多個所述第二金屬觸點以之字形的方式進行布置。

2.一種半導體器件，包括：

半導體基板，其包括單元區域、位于所述單元區域的一側的第二墊區域、以及設置在所述單元區域與所述第二墊區域之間的第一墊區域，所述第一墊區域是與所述單元區域和所述第二墊區域連續的；

第一埋入式柵極，其埋入到溝槽中，并且從所述單元區域延伸到所述第二墊區域；

第二埋入式柵極，其在所述溝槽中設置在所述第一埋入式柵極上方，與所述第一埋入式柵極的上部間隔開，并且從所述單元區域延伸至所述第一墊區域；

第一金屬觸點，其連接至所述第一埋入式柵極的端部；

第二金屬觸點，其連接至所述第二埋入式柵極的端部，

多個所述第一埋入式柵極，其平行地布置，每個所述第一埋入式柵極具有第一端和第二端；以及

多個所述第一金屬觸點，多個所述第一金屬觸點中的每一個第一金屬觸點連接至多個所述第一埋入式柵極中的對應第一埋入式柵極；其中，

多個所述第一金屬觸點交替地連接至相鄰的第一埋入式柵極的第一端和第二端。

3.一種半導體器件，包括：

半導體基板，其包括單元區域、位于所述單元區域的一側的第二墊區域、以及設置在所述單元區域與所述第二墊區域之間的第一墊區域，所述第一墊區域是與所述單元區域和所述第二墊區域連續的；

第一埋入式柵極，其埋入到溝槽中，并且從所述單元區域延伸到所述第二墊區域；

第二埋入式柵極，其在所述溝槽中設置在所述第一埋入式柵極上方，與所述第一埋入式柵極的上部間隔開，并且從所述單元區域延伸至所述第一墊區域；

第一金屬觸點，其連接至所述第一埋入式柵極的端部；

第二金屬觸點，其連接至所述第二埋入式柵極的端部，

多個所述第二埋入式柵極，其平行地布置，每個所述第二埋入式柵極具有第一端和第二端；以及

多個所述第二金屬觸點，多個所述第二金屬觸點中的每一個第二金屬觸點連接至多個所述第二埋入式柵極中的對應第二埋入式柵極；其中，

多個所述第二金屬觸點交替地連接至相鄰的第二埋入式柵極的第一端和第二端。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

在所述單元區域的第一側，所述第一金屬觸點連接至所述第一埋入式柵極，并且在所述單元區域的第二側，所述第二金屬觸點連接至所述第二埋入式柵極。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第一埋入式柵極比所述第二埋入式柵極長。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第二埋入式柵極形成在所述第一埋入式柵極上方且使所述第一埋入式柵極的兩端露出。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第二埋入式柵極與所述單元區域的半導體基板中所包括的離子注入區域重疊。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

隔離絕緣膜，其設置于所述第一埋入式柵極與所述第二埋入式柵極之間。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，

所述隔離絕緣膜包括氮化物膜。