[發明專利]一種有機電致發光二極管及其制作方法有效
| 申請號: | 201310147599.7 | 申請日: | 2013-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN103219476A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 李艷青;周雷;唐建新 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種有機電致發光二極管的制作方法,其特征在于:包括步驟
在襯底上制作第一電極層;
在第一電極層上制作第一傳輸層,所述第一傳輸層以旋涂或滴注工藝制備,使得該第一傳輸層在旋涂或滴注后為液態或膠狀/半膠狀形態;
對所述第一傳輸層實施一納米軟壓印工藝,在該第一傳輸層上形成納米凹凸結構,該納米凹凸結構具體是一種準周期或非周期性的凹凸結構;
在所述第一傳輸層上制作發光層,所述發光層的至少部分滲入至該第一傳輸層的納米凹凸結構中,使得發光層上產生該納米凹凸結構的互補結構,從而在所述發光層和第一傳輸層的交界面處形成折射率梯度變化的光提取結構;
在發光層上制作OLED的其余結構層,完成整個OLED的制作。
2.如權利要求1所述的有機電致發光二極管制作方法,其特征在于:對于頂出光的OLED器件,所述第一傳輸層為電子傳輸層,所述第二傳輸層為空穴傳輸層;對于底出光的OLED器件,所述第一傳輸層為空穴傳輸層,所述第二傳輸層為電子傳輸層。
3.如權利要求1所述的有機電致發光二極管制作方法,其特征在于:所述納米軟壓印工藝包括:
在基底上沉積或旋涂硝酸銀漿,
在氮氣(N2)作為保護氣體情況下,對上述基底加溫,使硝酸銀漿先固化成膜,然后在高溫作用下收縮成納米銀球,該納米銀球形成的點陣為準周期或非周期的結構;
以所述納米銀球作為掩模,采用離子活性刻蝕,而后用濃硝酸去除納米銀球,得到二維準周期或非周期排列的納米結構母板;
將介質轉移材料均勻涂在上述母板上面,施加壓力同時加溫固化;
脫模,將母板上的二維納米結構轉移到介質轉移材料上,形成軟壓印模板;
利用上述軟壓印模板,對第一傳輸層進行壓印,將軟壓印模板上的結構轉移到第一傳輸層上。
4.如權利要求3所述的有機電致發光二極管制作方法,其特征在于:所述基底為石英、硅、鎳、碳素鋼、碳化硅、摻鋁氧化鋅、聚碳酸酯、聚氯乙烯或聚甲基丙烯酸丁酯中的一種。
5.如權利要求3所述的有機電致發光二極管制作方法,其特征在于:所述介質轉移材料為聚二甲硅氧烷、聚苯乙烯、丙烯酸或全氟聚醚中的一種。
6.如權利要求3所述的有機電致發光二極管制作方法,其特征在于:所述對第一傳輸層進行壓印時,采用平對平的熱壓印技術,或者采用卷對卷的壓印技術。
7.一種使用如權利要求1所述的制作方法制得的有機電致發光二極管,該有機電致發光二極管為單層納米結構OLED器件,其特征在于:該OLED器件的電子傳輸層與發光層的交界面或者空穴傳輸層與發光層的交界面上設有納米光提取凸結構,該納米光提取結構為準周期或非周期性的納米凹凸結構。
8.一種使用如權利要求1所述的制作方法制得的有機電致發光二極管,該有機電致發光二極管為疊層納米結構OLED器件,其特征在于:該OLED器件的第一電子傳輸層與發光層的交界面或者第一空穴傳輸層與發光層的交界面上設有納米光提取結構,該納米光提取結構為準周期或非周期性的納米凹凸結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





