[發明專利]一種NiW合金基底上的立方織構Ce1-σGdσO2薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201310146978.4
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN103236319A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 李英楠;羅清威;林琳;李鳳華;王麗娜;樊占國
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: H01B12/06
• 分類號: H01B12/06;H01B13/00
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司 21109
• 代理人: 梁焱

1.一種NiW合金基底上的立方織構Ce_1-σGd_σO₂薄膜，其特征在于是生長在立方織構的NiW合金基底上的Ce_1-σGd_σO₂薄膜，厚度為?200-500nm，具有（200）擇優取向和面心立方晶體結構，織構形式為{100}<001>，其中0.1≤σ≤0.2，所述的NiW合金是按質量百分比含5%W?的Ni-5%W合金。

2.??權利要求1所述的一種NiW合金基底上的立方織構Ce_1-σGd_σO₂薄膜的制備方法，其特征在于按照以下步驟進行：

（1）以?(CH₃CO₂)₃Ce(III)和GdN₃O₉為起始原料，按照摩爾比Ce³⁺:?Gd³⁺=（4~9）:?1的比例將原料溶解于丙酸(C₂H₅COOH)中，調節溶液Ce³⁺和Gd³⁺的總濃度為1.0~1.2mol/l，得到Ce_1-σGd_σO₂前驅液，0.1≤σ≤0.2；

（2）將Ce_1-σGd_σO₂前驅液用勻膠機以3000~4000r/min的轉速，旋轉30~60s，旋涂在Ni-5%W合金基底上，再將旋涂后的基片送入爐管，在體積百分比為2~4%的H₂和96~98%的Ar氣氛保護下1000~1200℃熱處理0.5-2h，得到NiW合金基底上的立方織構Ce_1-σGd_σO₂薄膜。