[發明專利]邊際場切換式液晶顯示面板有效
| 申請號: | 201310146590.4 | 申請日: | 2013-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103383502A | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 張琬珩;鄭孝威;范姜士權 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊際 切換 液晶顯示 面板 | ||
技術領域
本發明是有關于一種液晶顯示面板,且特別是關于一種邊際場切換式(Fringe-Field?Switching,FFS)的液晶顯示面板。
背景技術
近年來,液晶顯示面板已普遍可見于包括一般家用電器設備的各式電子產品之中。液晶顯示面板是由一對基板和液晶層夾設于該對基板之間所構成,該對基板的表面上具有電極,通過在兩個基板上的電極上外加電壓來形成電場,則液晶層的液晶分子受到電場的影響再次排列而改變光的透射率,由此來顯示各種影像。但是,液晶顯示面板的液晶層的液晶分子的排列會受到相當多的因素,例如:工藝偏移過大、電極位置與形狀不對等等,使得液晶層的液晶分子排列不佳,而導致光穿透率下降,更甚而讓液晶顯示面板的顯示品質下降。
發明內容
根據本發明的邊際場切換式液晶顯示面板,包括一第一基板、一第二基板及一液晶層夾設于該第一基板與該第二基板之間。至少一掃描線,設置于該第一基板上。至少一數據線,設置于該第一基板上,且該數據線與該掃描線交錯以定義出至少一像素區,各該像素區是由至少一掃描線與至少一數據線相互交錯所構成。至少一切換元件,設置于該像素區內,以分別電性連接該掃描線、該數據線與至少一像素電極,其中該像素電極設置于該像素區內。至少一透明共同電極,設置于該第一基板的該像素區上,且通過介于該像素電極與該共同電極間的一隔絕層與該像素電極分開。其中,該共同電極至少包含多個第一共同電極與至少一第二共同電極,該第二共同電極,設置且覆蓋于該數據線上方,各該第一共同電極之間具有一間隔,且其設置于該像素區內,其中,該像素區的像素電極邊緣與該像素區中最鄰近該第二共同電極的該第一共同電極邊緣,于該第一基板方向上的投影距離為d1,第二共同電極的邊緣與該像素區的該像素電極邊緣,于該第一基板方向上的投影距離為d2。
其中(d1+d2)的總和為5~7μm,且d1>d2。0≦d2≦2μm。(d1+d2)的總和為7μm,且d2為0μm。
該第二共同電極寬度大于該數據線寬度。
該第二共同電極寬度大于各該第一共同電極寬度。
該液晶層具有一預定厚度(D)與該液晶層的液晶材料具有雙折射系數(Δn)的乘積(△n*D)為340nm至391nm之間,且該液晶層的液晶分子具有正型介電異方性(positive?dielectric?anisotropy,△ε)為5至10之間。
該液晶層具有一預定厚度(D)與該液晶層的液晶材料具有雙折射系數(Δn)的乘積(△n*D)為391nm,且該液晶層的液晶分子具有正型介電異方性(positive?dielectric?anisotropy,△ε)為5。
在本發明的一實施例中,操控上述d1、d2、以及(d1+d2)的數值范圍,以將光刻、蝕刻等工藝中工藝變異造成的穿透率下降以及像素區中不同位置的透光均勻度惡化等影響程度降低,進而提升該液晶顯示器的產品良率。根據本發明的邊際場切換式液晶顯示面板,包括一第一基板、一第二基板以及一液晶層夾設于第一基板與第二基板之間。至少一掃描線,設置于該第一基板上。至少一數據線,設置于該第一基板上,且該數據線與該掃描線交錯以定義出至少一像素區。至少一切換元件,設置于該像素區內,以分別電性連接該掃描線、該數據線與至少一像素電極。至少一共同電極,設置于該第一基板的該像素區上,且通過介于該像素電極與該共同電極間的一隔絕層與該像素電極分開。其中,該共同電極至少包含多個第一共同電極與至少一第二共同電極,該第二共同電極,設置且覆蓋于該數據線上方,各該第一共同電極之間具有一間隔,且其設置于該像素區內。其中,該液晶層具有一預定厚度(D)與該液晶層的液晶材料具有雙折射系數(Δn)的乘積(Δn*D),且液晶層的液晶分子具有正型介電異方性(positive?dielectric?anisotropy,△ε)。
乘積(△n*D)為340nm至391nm之間,且該液晶層的液晶分子具有正型介電異方性(positive?dielectric?anisotropy,△ε)為5至10之間。
該液晶層具有一預定厚度(D)與該液晶層的液晶材料具有雙折射系數(Δn)的乘積(△n*D)為391nm,且該液晶層的液晶分子具有正型介電異方性(positive?dielectric?anisotropy,△ε)為5。
該第二共同電極寬度大于該數據線寬度。
該第二共同電極寬度大于各該第一共同電極寬度。
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