[發(fā)明專利]制造具有波長轉(zhuǎn)換層的發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)及方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310146566.0
• 申請(qǐng)日: 2013-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN103427004A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏睿康;陳德朔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭明光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/50
• 分類號(hào): H01L33/50
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一發(fā)光二極管晶粒；

一波長轉(zhuǎn)換層，用于附著到該發(fā)光二極管晶粒，該發(fā)光二極管晶粒包含在一基板上，該基板位于一粘附層上，該粘附層用于依據(jù)曝光于一物理能量以降低粘著性；

一固化設(shè)備，用于降低該粘著層的粘著性，以幫助該波長轉(zhuǎn)換層從該基板上移除；以及

一附著設(shè)備，用于將該波長轉(zhuǎn)換層從該基板移除并將該波長轉(zhuǎn)換層附著到該發(fā)光二極管晶粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該波長轉(zhuǎn)換層具有一第一圓周形狀，其與在該發(fā)光二極管晶粒上的一區(qū)域的一第二圓周形狀相符合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該波長轉(zhuǎn)換層包括一個(gè)或一個(gè)以上特征，該一個(gè)或一個(gè)以上特征與在發(fā)光二極管晶粒上的一個(gè)或一個(gè)以上相對(duì)應(yīng)特征校準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該物理能量包括紫外線輻射，且該固化設(shè)備包括一紫外線輻射固化裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該物理能量包括熱能，且該固化設(shè)備包括一熱壓固化設(shè)備。

6.一種制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一發(fā)光二極管晶粒；

多個(gè)波長轉(zhuǎn)換層，位于一基板上，該基板位于一粘附層上，該粘附層用于依據(jù)曝光于一電磁輻射以降低粘著性，每一波長轉(zhuǎn)換層用于附著在該發(fā)光二極管晶粒上并具有一第一圓周形狀；

一固化設(shè)備，用于將一物理能量提供在該固化設(shè)備的一選定區(qū)域的該粘著層上，以降低該粘著層的粘著性，該選定區(qū)域具有一第二圓周形狀，該第二圓周形狀相對(duì)應(yīng)該第一圓周形狀；以及

一附著設(shè)備，用于將該等波長轉(zhuǎn)換層一次一個(gè)從該基板上移除，并將該等波長轉(zhuǎn)換層附著到該發(fā)光二極管晶粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該物理能量選自下列輻射之一：紫外線、紅外線、放射性以及熱。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，每一波長轉(zhuǎn)換層包括一個(gè)或多個(gè)特征，該特征選自以下其中之一：挖空、開孔以及狹縫。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該物理能量包括紫外線輻射，且該固化設(shè)備包括一紫外線輻射固化裝置。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該物理能量包括熱能，且該固化設(shè)備包括一熱壓固化設(shè)備。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該等波長轉(zhuǎn)換層包括一基底材料以及混合到該基材料中的一熒光混合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該等波長轉(zhuǎn)換層包括一基底材料以及沉積在該基底材料上的一熒光混合物。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒包括一直下式發(fā)光二極管晶粒。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造發(fā)光二極管晶粒的系統(tǒng)，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒包括一平面式發(fā)光二極管晶粒。

15.一種制造發(fā)光二極管晶粒的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：提供具有一所欲構(gòu)造的一發(fā)光二極管晶粒；

S2：提供包含在一基板上的一波長轉(zhuǎn)換層，該基板在一粘著層上，該粘著層用于依據(jù)曝光在一物理能量以降低粘著性；

S3：將在該基板上的該粘著層曝光在該物理能量，以降低該粘著層的粘著性，并幫助該波長轉(zhuǎn)換層從該基板移除；

S4：將該波長轉(zhuǎn)換層從該基板上移除；以及

S5：將該波長轉(zhuǎn)換層附著到該發(fā)光二極管晶粒。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造發(fā)光二極管晶粒的方法，其特征在于，步驟S1包括在該粘著層上的一基板上提供多個(gè)波長轉(zhuǎn)換層，且步驟S3包括將該粘著層的一選定區(qū)域曝光，而該粘著層的該選定區(qū)域具有一圓周形狀，該圓周形狀相對(duì)應(yīng)該發(fā)光二極管晶粒的一圓周形狀。