[發明專利]等離子設備及其控制方法有效
| 申請號: | 201310145960.2 | 申請日: | 2013-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN104124184B | 公開(公告)日: | 2017-07-04 |
| 發明(設計)人: | 武小娟 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100026 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 設備 及其 控制 方法 | ||
1.一種等離子設備,包括:等離子反應室;所述等離子反應室包括:耦合窗;其特征在于,
所述等離子設備還包括:提升裝置,內置有射頻源的線圈盒和用于對所述耦合窗進行溫度控制的溫控裝置,所述溫控裝置包括:
主加熱器,設置在所述耦合窗的邊緣,用于從所述耦合窗的邊緣對所述耦合窗進行加熱;
輔助加熱器,設置在所述耦合窗外表面的中心區域,用于對所述耦合窗的中心區域進行加熱;
第一測溫單元,設置于所述耦合窗的邊緣,用于測量所述耦合窗邊緣的溫度;
第二測溫單元,設置于所述耦合窗的中心區域,用于測量所述耦合窗中心區域的溫度;
溫控器,用于根據所述第一測溫單元及所述第二測溫單元反饋的測量值,控制所述主加熱器和所述輔助加熱器,以使所述耦合窗的溫度維持在預設值;
所述線圈盒設置在所述耦合窗之上;
所述提升裝置包括:提升柄,所述提升柄的末端穿過所述線圈盒的上壁延伸至所述線圈盒內,所述輔助加熱器及所述第二測溫單元設置在所述提升柄的末端,所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后所述輔助加熱器及所述第二測溫單元被提升至所述線圈盒上壁,或者,
所述線圈盒的上壁設置有過孔,所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后,所述輔助加熱器及所述第二測溫單元經所述過孔被提升至所述線圈盒的外部。
2.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,
所述第二測溫單元集成在所述輔助加熱器內。
3.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,
所述線圈盒的上壁設置有容納所述輔助加熱器及所述第二測溫單元的凹槽,
所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后所述輔助加熱器及所述第二測溫單元恰位于所述線圈盒上壁的所述凹槽內。
4.根據權利要求3所述的等離子設備,其特征在于,
所述凹槽的大小、形狀與所述輔助加熱器及所述第二測溫單元相對應,以使所述輔助加熱器及所述第二測溫單元位于所述凹槽內時,所述線圈盒的上壁平整。
5.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,所述提升裝置還包括:電機驅動器、電機、聯軸器和制動器;
所述提升柄的前端與所述聯軸器相連接,所述驅動器控制所述電機運轉,所述電機輸出的扭矩驅動所述聯軸器轉動,所述聯軸器帶動所述提升柄上升,所述提升柄上升后所述制動器抱閘使得的所述提升柄的末端位置保持固定。
6.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,
所述線圈盒上壁的外側設置有隔熱棉。
7.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,
所述輔助加熱器包括多個片狀加熱器。
8.根據權利要求7所述的等離子設備,其特征在于,
所述片狀加熱器均勻分布在所述耦合窗的中心區域。
9.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,
所述主加熱器為沿所述耦合窗圓周方向包裹的加熱帶,或者,
所述主加熱器為沿所述耦合窗圓周方向等間距分布的多個加熱棒。
10.根據權利要求1所述的等離子設備,其特征在于,
所述第一測溫單元和第二測溫單元為抗射頻干擾的熱電偶或光纖測溫裝置。
11.一種基于權利要求1-10任一項所述的等離子設備的控制方法,其特征在于,包括:
進行啟輝前的準備工作,其中包括:
設定所述離子反應室的耦合窗溫度,通過溫控裝置控制耦合窗達到并穩定在設定的耦合窗溫度,
關閉所述輔助加熱器,并提升所述輔助加熱器及所述第二測溫單元至所述線圈盒上壁,或者,
所述線圈盒的上壁設置有過孔,提升所述輔助加熱器及所述第二測溫單元,使所述輔助加熱器及所述第二測溫單元穿過所述過孔位于所述線圈盒的外部;
進行啟輝;
在啟輝后開啟所述輔助加熱器,并使所述輔助加熱器及所述第二測溫單元降落至所述耦合窗的外表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司,未經北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310145960.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種改善半導體工藝流程中鋁殘留的方法
- 下一篇:封裝材料的涂布方法及其裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





