[發明專利]制備應用在倒裝安裝工藝上的半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310145656.8
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124176B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 薛彥迅;哈姆扎·耶爾馬茲;何約瑟;石磊;趙良;黃平;吳平麗
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L51/56;H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種制備應用在倒裝安裝工藝上的半導體器件的方法，其特征在于，包括以下步驟：

沿著晶圓正面的切割道實施切割，以增加切割道的深度；

在晶圓正面覆蓋一第一塑封層；

翻轉晶圓至其背面朝上，在其背面的實施研磨以減薄晶圓；

在晶圓的減薄背面沉積一金屬層；

在晶圓帶有金屬層的減薄背面的一側，繞著晶圓的邊緣對金屬層的周邊部分和對晶圓的一部分厚度的周邊部分實施研磨，形成環繞在晶圓邊緣處的凹陷于其減薄背面的一環形凹槽及位于所述環形凹槽中央的圓臺形凸起，至切割道內填充的塑封料位于切割道兩端的部分在該環形凹槽中予以外露；

在所述第一塑封層上粘附一粘貼膜；

沿每條切割道內填充的塑封料位于切割道兩端的外露在環形凹槽內的部分所構成的直線對第一塑封層、晶圓、金屬層和填充在切割道內的塑封料實施切割，以形成多個半導體器件；

在無翻轉的條件下將所述半導體器件拾取并安裝至承載基板上以實現倒裝安裝。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在晶圓背面研磨的步驟中，只在晶圓背面的中心區域研磨以形成一圓形凹槽，同時保留晶圓具有原始厚度的周邊部分以形成晶圓邊緣處的一支撐環；以及

形成所述環形凹槽的步驟中，在對金屬層的周邊部分和晶圓的一部分厚度的周邊部分進行研磨的同時，還將所述支撐環一并研磨掉。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對第一塑封層、晶圓、金屬層和填充在切割道內的塑封料實施切割的步驟中，采用的切割刀的刀寬大于或等于深度加深了的切割道的寬度，晶圓經切割后形成多個晶片，并且切割道內填充的塑封料經切割后被完全切割掉，使晶片的側壁裸露在外。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對第一塑封層、晶圓、金屬層和填充在切割道內的塑封料實施切割的步驟中，采用的切割刀的刀寬小于深度加深了的切割道的寬度，晶圓經切割后形成多個晶片，并且切割道內填充的塑封料經切割后，形成包覆在晶片的靠近其正面一側的一部分厚度的部分的側壁上的第一側部塑封層。

5.一種制備應用在倒裝安裝工藝上的半導體器件的方法，其特征在于，包括以下步驟：

沿著晶圓正面的切割道實施切割，以增加切割道的深度；

在晶圓正面覆蓋一第一塑封層；

翻轉晶圓至其背面朝上，在其背面的實施研磨以減薄晶圓；

在晶圓的減薄背面沉積一金屬層；

在晶圓帶有金屬層的減薄背面的一側，繞著晶圓的邊緣對金屬層的周邊部分和對晶圓的一部分厚度的周邊部分實施研磨，形成環繞在晶圓邊緣處的凹陷于其減薄背面的一環形凹槽及位于所述環形凹槽中央的圓臺形凸起，至切割道內填充的塑封料位于切割道兩端的部分在該環形凹槽中予以外露；

在所述第一塑封層上粘附一粘貼膜；

在晶圓的減薄背面的一側，沿每條切割道內填充的塑封料位于切割道兩端的外露在環形凹槽內的部分所構成的直線對金屬層、晶圓實施切割，形成分別與切割道在豎直方向上一一對應重合的多條切割槽；及

在由金屬層切割所形成的各底部金屬層上覆蓋一第二塑封層；

沿每條切割道內填充的塑封料位于切割道兩端的外露在環形凹槽內的部分所構成的直線，對第一、第二塑封層和分別填充在切割道及切割槽內的塑封料實施切割，以形成多個半導體器件；

在無翻轉的條件下將所述半導體器件拾取并安裝至承載基板上以實現倒裝安裝。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在晶圓背面研磨的步驟中，只在晶圓背面的中心區域研磨以形成一圓形凹槽，同時保留晶圓具有原始厚度的周邊部分，以形成晶圓邊緣處的一支撐環；以及

形成所述環形凹槽的步驟中，在對金屬層的周邊部分和晶圓的一部分厚度的周邊部分進行研磨的同時，還將所述支撐環一并研磨掉。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，第二塑封層經切割后形成覆蓋在底部金屬層上的底部塑封層；以及

填充在切割道、切割槽內的塑封料被切割后分別形成相互鄰接的第一側部塑封層、第二側部塑封層，第一側部塑封層包覆在晶片的靠近其正面一側的一部分厚度的部分的側壁上，第二側部塑封層包覆在晶片的靠近其背面一側的一部分厚度的部分的側壁上。