[發明專利]半導體裝置和用于制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201310145602.1
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN103378065A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 小倉正德;小林秀央;光地哲伸;木谷充志
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/528;H01L27/146;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種半導體裝置，包括布線組和沿一個方向排列的多個單位單元，布線組包括：

第一布線；和

第二布線，第二布線的楊氏模量比第一布線的楊氏模量高，并且第二布線沿著半導體裝置的所述一個方向上的端部被設置。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，單位單元以間距d在所述一個方向上排列，并且

其中，單位單元中被設置為最靠近所述端部的一個單位單元與所述端部之間的距離是d/2或更小。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，第二布線的熔點比第一布線的熔點高。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，第二布線電連接到所述單位單元中的多個。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，

其中，第一布線的主要材料是從由鋁、銅和鋁銅合金構成的組中選擇的，并且

其中，第二布線通過第一布線連接到所述單位單元中的多個。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，

其中，第二布線的截面面積比第一布線的截面面積大。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，半導體裝置包括多個第一布線和多個第二布線。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，

其中，第二布線的截面面積相互不同，并且

其中，第二布線中傳輸具有較大振幅和較大頻率中的至少一個的信號的一個第二布線具有比其他第二布線中的另一個第二布線的截面面積大的截面面積。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，

其中，第二布線沿著所述端部相互平行地被設置。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，第二布線向單位單元傳輸用于控制單位單元的操作的控制信號或偏置電壓。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，第二布線的主要材料是多晶硅或硅化物化的多晶硅。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，所述一個方向垂直于沿著所述端部的方向。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，具有比第二布線的截面面積大的截面面積的布線被設置在不同于包括第二布線的層的層中。

14.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，每個單位單元包括光電轉換元件。

15.如權利要求1所述的半導體裝置，

其中，每個單位單元包括用于排出液滴的排出口。

16.一種包括多個如權利要求14所述的半導體裝置的圖像傳感器單元，

其中，所述多個半導體裝置是沿所述一個方向排列的。

17.一種包括如權利要求16所述的圖像傳感器單元的圖像讀取裝置。

18.一種記錄裝置，包括多個如權利要求15所述的半導體裝置，所述多個半導體裝置是沿所述一個方向排列的。

19.一種用于制造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括布線組和沿一個方向排列的多個單位單元，布線組包括第一布線和具有比第一布線的楊氏模量高的楊氏模量的第二布線，所述方法包括：

在半導體襯底上形成多個單位單元和多個布線組；以及

在至少一邊上沿著第二布線切割半導體襯底。

20.如權利要求19所述的用于制造半導體裝置的方法，

其中，半導體襯底是通過激光劃片或刀片劃片來切割的。