[發明專利]半導體制造裝置及硅片處理方法

有效

• 申請號: 201310145491.4
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN103236407B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 王碩;許忠義
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體制造裝置，其特征在于，包括：

反應腔；

第一容器，用于盛放易揮發溶液，所述第一容器設有液面感應器；

第一通氣管道，兩端分別與所述第一容器、反應腔連通；

第一流量調節閥，設置在所述第一通氣管道上；

第二容器，用于盛放輸運氣體；

第二通氣管道，兩端分別與所述第一容器、第二容器連通。

2.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，還包括：微控制器，所述微控制器與所述液面感應器連接，以使所述微控制器實時獲知所述第一容器內溶液的液面高度。

3.根據權利要求2所述的半導體制造裝置，其特征在于，還包括：氣流控制器，所述氣流控制器與所述微控制器連接；

所述氣流控制器還與所述第一流量調節閥連接；

所述微控制器根據所獲知的液面高度通過所述氣流控制器控制所述第一流量調節閥的開口大小。

4.根據權利要求3所述的半導體制造裝置，其特征在于，還包括：設置在所述第二通氣管道上的第二流量調節閥，所述第二流量調節閥與氣流控制器連接，以控制所述第二流量調節閥的開口大小。

5.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，所述半導體制造裝置為爐體裝置、化學氣相沉積裝置或等離子體刻蝕裝置。

6.根據權利要求5所述的半導體制造裝置，其特征在于，所述半導體制造裝置為爐體裝置，所述爐體裝置還包括：

第三容器，用于盛放氧氣；

第三通氣管道，兩端分別與所述第三容器、反應腔連通。

7.一種硅片處理方法，其特征在于，包括：

提供承載有硅片的反應腔；

提供盛放有易揮發溶液的第一容器，所述第一容器內易揮發溶液上方為易揮發溶液揮發產生的反應氣體；

向所述第一容器內通入輸運氣體，所述輸運氣體迫使所述反應氣體進入所述反應腔；

控制進入所述反應腔內的反應氣體的流量，確保單位時間內通入反應腔內的反應氣體的摩爾數相等。

8.根據權利要求7所述的硅片處理方法，其特征在于：

所述第一容器上設置有液面感應器；

根據所述液面感應器所獲取的液面高度，控制進入所述反應腔內的反應氣體的流量。

9.根據權利要求7所述的硅片處理方法，其特征在于，所述輸運氣體為N₂或He。

10.根據權利要求7所述的硅片處理方法，其特征在于，所述硅片處理為硅片的氧化處理、在硅片上進行薄膜沉積的處理或對硅片或硅片上的膜層進行等離子體刻蝕的處理。

11.根據權利要求10所述的硅片處理方法，其特征在于，所述硅片處理為硅片的氧化處理時：

所述易揮發溶液為鹽酸溶液、二氯乙烯溶液、三氯乙烯溶液或三氯乙烷溶液；

所述方法還包括：向所述反應腔內通入氧氣。