[發(fā)明專利]包含氮化物材料的近場換能器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310145227.0 | 申請日: | 2013-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103514888B | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | T·趙;S·薩胡;M·C·考茨基;A·V·伊塔基 | 申請(專利權(quán))人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分類號: | G11B5/127 | 分類號: | G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 錢慰民 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包含 氮化物 材料 近場 換能器 | ||
優(yōu)先權(quán)要求
本申請要求2012年4月24日提交的案號為430.17123000的題為“NEAR FIELD TRANSUCERS(NFTs)INCLUDING NITRIDES(包括氮化物的近場換能器(NFT))”的美國臨時申請No.61/637,696的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容通過援引包含于此。
背景
在熱輔助的磁記錄中,信息位在升高的溫度下被記錄在數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上,并且數(shù)據(jù)位尺寸可由存儲介質(zhì)中被加熱面積的尺寸或者存儲介質(zhì)中受磁場影響的面積的尺寸來決定。在一種方法中,光束在存儲介質(zhì)上匯聚成小光斑以加熱該介質(zhì)的一部分并減小被加熱部分的磁矯頑力。然后數(shù)據(jù)被寫到矯頑力減小的區(qū)域。
用于熱輔助磁記錄的記錄頭的一個例子包括能將光聚集在比衍射極限更小的光斑尺寸的近場換能器(NFT)。NFT被設(shè)計成在所設(shè)計的光波長下達到局部表面等離子體(plasmon)諧振。在諧振時,由于金屬中的電子的集體振蕩,在NFT的周圍出現(xiàn)高電場。該場的一部分將隧穿入存儲介質(zhì)并被吸收,這局部地提高了該介質(zhì)的溫度以供記錄。
NFT的溫度在等離子激元(plasmonic)諧振下顯著升高。另外,一部分NFT可能暴露在記錄頭的空氣承載表面下,并因此受到機械磨損。NFT性能在HAMR操作期間很大程度地受熱應(yīng)力和機械應(yīng)力的影響。由于金(Au)的優(yōu)越的光學(xué)性質(zhì),當前使用金(Au)作為原始NFT材料。然而,金具有相對低的機械強度并且金制的NFT可能在升高的溫度下經(jīng)歷重熔,這導(dǎo)致NFT形狀的圓形化。形狀的變形可降低耦合效率并減少被傳遞至存儲介質(zhì)的光能的量。因此,仍然需要由除金以外的其它材料制成的NFT。
發(fā)明內(nèi)容
本文公開一種包括近場換能器的裝置,該近場換能器包括導(dǎo)電的氮化物。
另外披露的是包括光源、波導(dǎo)和近場換能器的裝置,該近場換能器包括導(dǎo)電的氮化物,其中光源、波導(dǎo)和近場換能器被配置成將光從光源傳至波導(dǎo)并最終至近場換能器。
另外披露一種盤驅(qū)動器,該盤驅(qū)動器包括:具有彎曲部的至少一個致動器臂;至少一個頭,其中每個彎曲部在其遠端處具有頭并且每個頭包括:光源;近場換能器,該近場換能器包括導(dǎo)電的氮化物;磁讀取器;以及磁寫入器,其中光源和近場換能器被配置成將光從光源傳送至近場換能器以幫助磁寫入器進行寫入。
本公開的上述概述并不旨在描述本公開的各公開實施例或每種實現(xiàn)。下面的描述更具體地例示出示例性實施例。在本申請中的若干位置處,通過范例列表來提供指導(dǎo),這些范例可以多種組合來使用。在各例中,引述的列表僅作為代表性組并且不應(yīng)當被解釋成排他性列表。
附圖簡述
圖1是對可包括根據(jù)本公開的一個方面構(gòu)造的記錄頭的盤驅(qū)動器形式的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的圖示。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個方面構(gòu)造的記錄頭的側(cè)立面圖。
圖3是近場換能器的示意圖。
圖4是另一近場換能器的示意圖。
圖5A示出所公開的NFT的橫截面的示意圖。
圖5B和5C是表現(xiàn)出角部圓角的之前利用的NFT的原子力顯微術(shù)(AFM)圖像和隧穿電子顯微鏡(TEM)圖像。
圖6示出另一公開的NFT的橫截面圖。
圖7A和7B是另一公開的近場換能器的橫截面的示意圖。
圖8示出所公開的示例性設(shè)備的自頂向下圖。
圖9示出使用所公開設(shè)備的介質(zhì)記錄層中的光學(xué)強度。
這些附圖不一定按比例示出。附圖中所使用的相同數(shù)字表示相同組件。然而,應(yīng)當理解,在給定附圖中使用數(shù)字表示組件并不旨在限制在另一附圖中用相同數(shù)字標記該組件。
具體實施方式
在以下描述中,參照構(gòu)成本說明書一部分的一組附圖,其中通過解說示出了若干具體實施例。應(yīng)當理解,可構(gòu)想并作出其他實施例而不背離本公開的范圍或精神。因此,以下詳細描述不具有限制性含義。
除非另有規(guī)定,否則在說明書和權(quán)利要求書中使用的表示特征大小、量和物理性質(zhì)的所有數(shù)字應(yīng)當理解為在任何情況下均由術(shù)語“大約”修飾。因此,除非相反地指出,否則在上述說明書和所附權(quán)利要求中闡述的數(shù)值參數(shù)是近似值,這些近似值可利用本文中公開的教示根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員所尋求獲得的期望性質(zhì)而變化。
借由端點對數(shù)值范圍的陳述包括歸入該范圍內(nèi)的所有數(shù)字(例如,1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)以及該范圍內(nèi)的任何范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于希捷科技有限公司,未經(jīng)希捷科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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