[發明專利]用于行動裝置應用的貝塔伏特電源

在審

• 申請號: 201310144376.5
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN103377742A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: A·W·澤弗洛普洛;A·M·霍利魯克
• 申請（專利權）人: 超科技公司
• 主分類號: G21H1/06
• 分類號: G21H1/06;G21H1/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 曹瑾

1.一種貝塔伏特電源，適用于具有一有效壽期的一行動裝置，該貝塔伏特電源包含：

復數同位素層，各該同位素層包含一同位素材料，該同位素材料發出具有總能量大于實質上15keV且小于實質上200keV的貝塔粒子、X光、或伽瑪射線之一輻射，且該同位素材料具有實質上0.5年至5年之間的一半衰期；及

復數能量轉換層，設置于部分或全部的該些同位素層之間，接收與轉換來自該輻射的能量而成為足以供該行動裝置在該有效壽期內使用的一電能。

2.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中該能量轉換層包含GaN。

3.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中各該能量轉換層具有實質上10微米至20微米的一厚度。

4.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中該同位素材料系選自(3)H、(194)Os、(171)Tm、(179)Ta、(109)Cd、(68)Ge、(159)Ce及(181)W及其組合所構成的群組。

5.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，更包含一輻射吸收護罩，設置以避免該貝塔粒子、X光、及伽瑪射線外泄。

6.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中彼此相鄰的該同位素層與該能量轉換層定義一層對，該貝塔伏特電源包含介于10至250個之間的該層對。

7.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中該些同位素層系由相同的該同位素材料所制成。

8.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中該電能的總能量為至少10毫瓦。

9.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，其中該電能的總能量為至少100毫瓦。

10.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，更包含復數冷卻導管，該些冷卻導管移除來自該同位素層與該能量轉換層的熱。

11.如權利要求1所述的貝塔伏特電源，更包含該行動裝置電性連接于該貝塔伏特電源。

12.一種貝塔伏特電源，適用于具有一有效壽期的一行動裝置，該貝塔伏特電源包含：

復數同位素層，各該同位素層包含一同位素材料，該同位素材料發出具有總能量大于實質上15keV且小于實質上200keV的一輻射，且該同位素材料具有實質上介于0.5年至5年之間的一半衰期；及

復數能量轉換層，設置于部分或全部的該些同位素層之間，接收與轉換來自該輻射的能量而成為足以供該行動裝置在該有效壽期內使用的一電能。

13.如權利要求12所述的貝塔伏特電源，其中一個以上的該能量轉換層具有一二極管結構。

14.如權利要求13所述的貝塔伏特電源，其中該二極管結構包含GaN或Ge。

15.如權利要求14所述的貝塔伏特電源，其中該Ge包含(68)Ge。

16.如權利要求12所述的貝塔伏特電源，其中彼此相鄰的該同位素層與該能量轉換層定義一層對，該貝塔伏特電源包含介于10至250個之間的該層對。

17.如權利要求12所述的貝塔伏特電源，其中該些同位素層系由相同的該同位素材料所制成。

18.如權利要求12所述的貝塔伏特電源，其中該輻射包含貝塔粒子、X光、及伽瑪射線之至少其中一者。

19.如權利要求12所述的貝塔伏特電源，更包含該行動裝置電性連接于該貝塔伏特電源。

20.如權利要求12所述的貝塔伏特電源，更包含一傳統電池，電性連接于該貝塔伏特電源。