[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310143977.4
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124372A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，其特征在于，所述復合陰極由依次層疊的硅化合物層、導電薄膜層和金屬摻雜層組成，所述硅化合物層的材質為一氧化硅、二氧化硅和硅酸鈉中的一種，所述導電薄膜層的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物和銦鋅氧化物中的一種，所述金屬摻雜層的材質為功函數為2.0eV～3.5eV的低功函金屬和功函數為4.0eV～5.5eV的高功函金屬以質量比5:1～20:1混合形成的混合材料，所述低功函金屬為鎂、鍶、鈣和鐿中的一種，所述高功函金屬為銀、鋁、鉑和金中的一種。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述硅化合物層的厚度為10～50nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述導電薄膜層的厚度為50～150nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為100～400nm。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟：

（1）提供所需尺寸的導電陽極玻璃基底，清洗后干燥；在導電陽極玻璃基底上采用熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層；

（2）在電子注入層上制備復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的硅化合物層、導電薄膜層和金屬摻雜層組成；

在電子注入層上采用電子束蒸鍍的方法制備硅化合物層，所述硅化合物層的材質為一氧化硅、二氧化硅和硅酸鈉中的一種，所述電子束蒸鍍的能量密度為10～l00W/cm²；

在硅化合物層上采用磁控濺射的方法制備導電薄膜層，所述導電薄膜層的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物和銦鋅氧化物中的一種，所述磁控濺射的加速電壓為300～800V，磁場為50～200G，功率密度為1～40W/cm²；

在導電薄膜層上采用熱阻蒸鍍的方法制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層的材質為功函數為2.0eV～3.5eV的低功函金屬和功函數為4.0eV～5.5eV的高功函金屬以質量比5:1～20:1混合形成的混合材料，所述低功函金屬為鎂、鍶、鈣和鐿中的一種，所述高功函金屬為銀、鋁、鉑和金中的一種，蒸鍍壓強為5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸鍍速率為1～10nm/s；得到所述有機電致發光器件。

6.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述硅化合物層的厚度為10～50nm。

7.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述導電薄膜層的厚度為50～150nm。

8.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為100～400nm。

9.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層和電子注入層的熱阻蒸鍍條件均為：壓強為5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸鍍速率為1～10nm/s。

10.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層、電子傳輸層和發光層的熱阻蒸鍍條件均為：壓強為5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸鍍速率為0.1～1nm/s。