[發明專利]半導體設備有效
| 申請號: | 201310143962.8 | 申請日: | 2013-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN103258760A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 巴文林 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F25D1/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 | ||
1.一種半導體設備,包括:第一壓縮空氣單元、冷卻水循環系統、光刻膠后烘工藝腔室、第一管道,所述第一壓縮空氣單元通過第一管道與光刻膠后烘工藝腔室連接,
其特征在于,還包括:第二壓縮空氣單元和第三管道,所述第二壓縮空氣單元通過第三管道與所述冷卻水循環系統連接。
2.如權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,還包括第二管道,所述第二管道連接所述第一壓縮空氣單元與所述冷卻水循環系統。
3.如權利要求2所述的半導體設備,其特征在于,所述第三管道通過所述第二管道與所述冷卻水循環系統連接。
4.如權利要求3所述的半導體設備,其特征在于,所述第二管道上具有閉路閥,用于阻止所述第二管道與所述冷卻水循環系統及所述第三管道連通。
5.如權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,所述冷卻水循環系統包括:冷卻水循環單元、第一冷卻水管道和第二冷卻水管道,所述第一冷卻水管道和所述第二冷卻水管道互相連接,并分別連接至所述冷卻水循環單元的兩個端口。
6.如權利要求1或5所述的半導體設備,其特征在于,所述第三管道直接與所述冷卻水循環系統連接。
7.如權利要求5所述的半導體設備,其特征在于,所述第三管道通過三通閥與所述第一冷卻水管道和所述第二冷卻水管道連接。
8.如權利要求1或5所述的半導體設備,其特征在于,還包括第二管道,所述第二管道的一端連接所述第一壓縮空氣單元,另一端末端通過堵頭密封。
9.如權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,所述第三管道上包括手動閥。
10.如權利要求1所述的半導體設備,其特征在于,所述第一管道上包括電磁閥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





