[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310143935.0
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124364A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，其特征在于，所述復合陰極層包括依次疊層設置的鋅化合物層、有機材料層、金屬層和鈍化層，

所述鋅化合物層的材料為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅或氯化鋅；所述有機材料層的材料為HOMO能級為-6.5eV～-7.5eV，玻璃化轉變溫度為50～100℃的有機材料；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉑或金；所述鈍化層的材料為二氧化硅、氧化鋁或氧化銅。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機材料層的材料為2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鋅化合物層的厚度為5～20nm；所述有機材料層的厚度為20～80nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為100～300nm，所述鈍化層的厚度為300～800nm。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴傳輸層的材質為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺；所述發光層的發光材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在導電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層；

在所述電子注入層上制備復合陰極層：先通過電子束蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備鋅化合物層，再通過真空蒸鍍的方式在所述鋅化合物層上依次制備有機材料層和金屬層，最后通過電子束蒸鍍的方式在所述金屬層上制備鈍化層，得到有機電致發光器件；

所述鋅化合物層的材料為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅或氯化鋅；所述有機材料層的材料為HOMO能級為-6.5eV～-7.5eV，玻璃化轉變溫度為50～100℃的有機材料；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉑或金；所述鈍化層的材料為二氧化硅、氧化鋁或氧化銅；

所述電子束蒸鍍的能量密度為10～l00W/cm²，所述真空蒸鍍過程中，真空度為2×10^-3～5×10^-5Pa，所述鋅化合物層、金屬層和鈍化層的材料蒸鍍速率為1～10nm/s，所述有機材料層的材料蒸鍍速率為0.1～1nm/s。

7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述有機材料層的材料為2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩。

8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述鋅化合物層的厚度為5～20nm；所述有機材料層的厚度為20～80nm。

9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為100～300nm，所述鈍化層的厚度為300～800nm。

10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層采用真空蒸鍍的方式制備，所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴傳輸層的材質為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺；所述發光層的發光材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。