[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310143934.6
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124363A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，其特征在于，所述復(fù)合陰極層包括依次疊層設(shè)置的第一摻雜層、導(dǎo)電氧化物層和第二摻雜層，

所述第一摻雜層的材料為富勒烯或富勒烯衍生物與二氧化鈦混合形成的混合材料，所述富勒烯為C60或C70，所述富勒烯衍生物為[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；所述導(dǎo)電氧化物層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；所述第二摻雜層的材料為金屬酞菁化合物與鈍化材料混合形成的混合材料，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂，所述鈍化材料為二氧化硅、氧化鋁或氧化銅。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一摻雜層中，所述富勒烯或富勒烯衍生物與二氧化鈦的質(zhì)量比為5～10:1。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二摻雜層中，所述金屬酞菁化合物與鈍化材料的質(zhì)量比為0.1～1:1。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度為10～50nm，所述導(dǎo)電氧化物層的厚度為50～150nm，所述第二摻雜層的厚度為200～800nm。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺；所述發(fā)光層的發(fā)光材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在導(dǎo)電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；

在所述電子注入層上制備復(fù)合陰極層：先通過電子束蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備第一摻雜層，再通過磁控濺射的方式在所述第一摻雜層上制備導(dǎo)電氧化物層，最后通過電子束蒸鍍的方式在所述導(dǎo)電氧化物層上制備第二摻雜層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；

所述第一摻雜層的材料為富勒烯或富勒烯衍生物與二氧化鈦混合形成的混合材料，所述富勒烯為C60或C70，所述富勒烯衍生物為[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；所述導(dǎo)電氧化物層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；所述第二摻雜層的材料為金屬酞菁化合物與鈍化材料混合形成的混合材料，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂，所述鈍化材料為二氧化硅、氧化鋁或氧化銅；

所述電子束蒸鍍的能量密度為10～l00W/cm²，所述第一摻雜層和第二摻雜層的材料蒸鍍速率為1～10nm/s，所述磁控濺射的加速電壓為300～800V，磁場為50～200G，功率密度為1～40W/cm²。

7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜層中，所述富勒烯或富勒烯衍生物與二氧化鈦的質(zhì)量比為5～10:1，所述第二摻雜層中，所述金屬酞菁化合物與鈍化材料的質(zhì)量比為0.1～1:1。

8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度為10～50nm，所述導(dǎo)電氧化物層的厚度為50～150nm，所述第二摻雜層的厚度為200～800nm。

9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦的粒徑為20～200nm。

10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層采用真空蒸鍍的方式制備，所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺；所述發(fā)光層的發(fā)光材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。