[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310143747.8
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124354A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及有機電致發光領域，特別涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

1987年，美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件（OLED）。10V下亮度達到1000cd/m²，其發光效率為1.51lm/W，壽命大于100小時。

OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。

在傳統的發光器件中，器件內部的光只有18%左右是可以發射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差（如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發生全反射），引起了全反射的損失，從而導致整體出光性能較低。因此，有必要提高OLED的發光效率。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法，所述有機電致發光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的有機摻雜層、二氧化鈦層和金屬單質層組成，本發明提高了器件的導電能力和發光效率。

第一方面，本發明提供了一種有機電致發光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的有機摻雜層、二氧化鈦層和金屬單質層組成，所述有機摻雜層的材質為富勒烯衍生物和小分子有機硅以質量比0.2:1～0.5:1混合形成的混合材料，所述富勒烯衍生物材料為足球烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（P71BM）中的一種，所述小分子有機硅為二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-雙（三苯基硅）苯（UGH3）和p-雙（三苯基硅）苯（UGH4）中的一種，所述金屬單質層的材質為銀（Ag）、鋁（Al）、鉑（Pt）和金（Au）中的一種。

優選地，所述有機摻雜層的厚度為20～50nm。

優選地，所述二氧化鈦層中二氧化鈦顆粒的粒徑為20～200nm，所述二氧化鈦層的厚度為100～200nm。

優選地，所述金屬單質層的厚度為100～300nm。

優選地，所述導電陽極玻璃基底為銦錫氧化物玻璃（ITO）、鋁鋅氧化物玻璃（AZO）和銦鋅氧化物玻璃（IZO）中的一種，更優選為ITO。

優選地，所述空穴注入層的材質為三氧化鉬（MoO₃）、三氧化鎢（WO₃）和五氧化二釩（V₂O₅）中的一種，厚度為20～80nm。更優選地，所述空穴注入層的材質為MoO₃，厚度為40nm。

優選地，所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺（NPB）中的一種，所述空穴傳輸層的厚度為20～60nm，更優選地，所述空穴傳輸層的材質為NPB，厚度為50nm。

優選地，所述發光層的材質為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亞萘基蒽（ADN）、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯（BCzVBi）和8-羥基喹啉鋁（Alq₃）中的一種，厚度為5～40nm，更優選地，所述發光層的材質為BCzVBi，厚度為10nm。

優選地，所述的電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉（Bphen）、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一種，厚度為40～300nm，更優選地，所述電子傳輸層的材質為TAZ，厚度為80nm。