[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310143708.8
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124321B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 連亞琦;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司44311
• 代理人: 曾昭毅

技術領域

本發明涉及一種半導體發光元件，還涉及一種半導體發光元件的制造方法。

背景技術

半導體發光元件作為一種新型的光源，目前已廣泛應用于多種場合。多年來半導體發光元件的發展方向仍然致力于發光效率的提升上，發光效率的影響因素一般包括選用的半導體材料、組件結構的設計、透明度及全反射現象等。

半導體發光元件中最重要的元件為發光芯片，其決定了半導體發光元件的性能。現有技術中，通常在發光芯片的上層形成透明導電層以改善電流的擴散效果，還可進一步在透明導電層表面形成透明保護層，以進一步保護晶粒的各項特性。然而，發光芯片發射出的光線在射向出射面時常常會因為全反射而降低整個半導體發光元件的光輸出效率，導致半導體發光元件亮度低。

發明內容

本發明旨在提供一種半導體發光元件及其制造方法以克服上述缺陷。

一種半導體發光元件，包括具有發光結構的發光二極管晶粒和設置在發光二極管晶粒的發光結構上的透明導電層，發光二極管晶粒的發光結構包括一基底，在基底上依次生長的第一半導體層、有源層和第二半導體層，透明導電層形成于第二半導體層上，透明導電層以及第一半導體層上分別設置有第一電極和第二電極，所述透明導電層的表面形成有粗化結構。

一種半導體發光元件的制造方法，包括以下步驟：提供一具有發光結構的發光二極管晶粒，該發光二極管晶粒包括設置在發光結構上的透明導電層；在透明導電層以及發光結構上分別設置第一電極和第二電極；粗化透明導電層上未設第一電極的區域以形成粗化結構；在所述半導體發光元件外圍的部分區域包覆透明保護層；在包覆在透明導電層表面的透明保護層開設通孔，通孔將透明導電層上表面局部或全部暴露在外。

采用此方法制造的半導體發光元件，其透明導電層表面形成的粗化結構能夠有效的避免全反射現象的發生，不僅能克服一般半導體發光元件光輸出效率低的缺點，提高半導體發光元件的亮度，而且可以擴大出光角度。

附圖說明

圖1為本發明實施方式一中的半導體發光元件示意圖。

圖2為本發明實施方式一中的粗化前透明導電層的表面形貌圖。

圖3為本發明實施方式一中的粗化后透明導電層的表面形貌圖。

圖4為本發明實施方式二中的半導體發光元件示意圖。

圖5為本發明實施方式三中的半導體發光元件示意圖。

圖6為本發明實施方式四中的半導體發光元件示意圖。

主要元件符號說明