[發(fā)明專(zhuān)利]薄型功率器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310143571.6
• 申請(qǐng)日: 2013-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104124221A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔玉平;薛彥迅;魯明朕;黃平;魯軍;哈姆扎·耶爾馬茲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(開(kāi)曼)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/488
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/488;H01L23/498;H01L23/13;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種薄型功率器件，其特征在于，包括：

一基板，及設(shè)置在基板正面的第一套接觸焊盤(pán)和設(shè)置在基板背面的第二套接觸焊盤(pán)，第一套接觸焊盤(pán)中的多個(gè)接觸焊盤(pán)分別相對(duì)應(yīng)的與第二套接觸焊盤(pán)中的一部分接觸焊盤(pán)電性連接；

一貫穿基板厚度的開(kāi)口，所述開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)第二套接觸焊盤(pán)中的沒(méi)有與第一套接觸焊盤(pán)中任何接觸焊盤(pán)進(jìn)行電性連接的一個(gè)接觸焊盤(pán)，并從開(kāi)口中暴露出該接觸焊盤(pán)的局部區(qū)域；

一嵌入在所述開(kāi)口中的芯片，所述芯片背面的背部金屬層粘附在第二套接觸焊盤(pán)中的暴露于所述開(kāi)口中的接觸焊盤(pán)上；

多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，將芯片正面的多個(gè)電極分別相對(duì)應(yīng)的電性連接到第一套接觸焊盤(pán)中的多個(gè)接觸焊盤(pán)上。

2.如權(quán)利要求1所述的薄型功率器件，其特征在于，在所述開(kāi)口的位于芯片周邊外側(cè)的剩余空間中填充有填充材料；以及

所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為氣溶膠，任意一電極與第一套接觸焊盤(pán)中最靠近它的接觸焊盤(pán)通過(guò)氣溶膠進(jìn)行電性連接，氣溶膠涂覆在任意一電極與第一套接觸焊盤(pán)中最靠近它的接觸焊盤(pán)之間的基板的上表面、填充材料的上表面、芯片正面的鈍化層上。

3.如權(quán)利要求2所述的薄型功率器件，其特征在于，還包括一包覆在基板正面的塑封層，并將芯片、填充材料、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包覆在內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的薄型功率器件，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為金屬片或鍵合引線或帶狀的導(dǎo)電帶。

5.如權(quán)利要求4所述的薄型功率器件，其特征在于，還包括一包覆在基板正面的塑封層，將芯片、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包覆在內(nèi)，并且塑封層的一部分填充在所述開(kāi)口的位于芯片周邊外側(cè)的剩余空間中。

6.如權(quán)利要求1所述的薄型功率器件，其特征在于，第一套接觸焊盤(pán)中任一接觸焊盤(pán)和第二套接觸焊盤(pán)中與其交疊的一個(gè)接觸焊盤(pán)之間的基板中形成有通孔或溝槽，并在通孔或溝槽內(nèi)形成有導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)，以使第一套接觸焊盤(pán)中任一接觸焊盤(pán)和第二套接觸焊盤(pán)中與之交疊的接觸焊盤(pán)形成電性連接。

7.一種薄型功率器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、提供一基板，在基板的正面和背面分別設(shè)置第一套接觸焊盤(pán)和第二套接觸焊盤(pán)，利用埋置在基板內(nèi)的互連結(jié)構(gòu)，將第一套接觸焊盤(pán)中的多個(gè)接觸焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的與第二套接觸焊盤(pán)中的一部分接觸焊盤(pán)進(jìn)行電性連接；

其中，在基板上形成有一貫穿基板厚度的開(kāi)口，所述開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)第二套接觸焊盤(pán)中的沒(méi)有與第一套接觸焊盤(pán)中任何接觸焊盤(pán)進(jìn)行電性連接的一個(gè)接觸焊盤(pán)，并在開(kāi)口中暴露出該接觸焊盤(pán)的局部區(qū)域；

步驟S2、將一芯片嵌入在所述開(kāi)口中，將所述芯片背面的背部金屬層粘附在第二套接觸焊盤(pán)中的暴露于所述開(kāi)口中的接觸焊盤(pán)上；

步驟S3、利用多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，將芯片正面的多個(gè)電極分別相對(duì)應(yīng)的電性連接到第一套接觸焊盤(pán)中的多個(gè)接觸焊盤(pán)上。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在步驟S2之后，還包括在所述開(kāi)口的位于芯片周邊外側(cè)的剩余空間中填充有填充材料的步驟；

以及在步驟S3中，使任意一電極與第一套接觸焊盤(pán)中最靠近它的接觸焊盤(pán)通過(guò)氣溶膠的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性連接，氣溶膠涂覆在任意一電極與第一套接觸焊盤(pán)中最靠近它的接觸焊盤(pán)之間的基板的上表面、填充材料的上表面、芯片正面的鈍化層上。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為金屬片或帶狀的導(dǎo)電帶或鍵合引線；

在步驟S3中，每個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的兩端分別粘附或鍵合在一個(gè)電極上和第一套接觸焊盤(pán)中的最靠近該電極的一個(gè)相應(yīng)的接觸焊盤(pán)上。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，第一套接觸焊盤(pán)中任一接觸焊盤(pán)和第二套接觸焊盤(pán)中與其交疊的一個(gè)接觸焊盤(pán)之間的基板中形成有通孔或溝槽，并在通孔或溝槽內(nèi)形成有導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)，以使第一套接觸焊盤(pán)中任一接觸焊盤(pán)和第二套接觸焊盤(pán)中的與之交疊的一個(gè)接觸焊盤(pán)形成電性連接。