[發明專利]半導體器件和制造該半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201310143405.6
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103545289A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 金廷烈;崔基壽
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導體器件，包括：

第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，其位于第一層間絕緣膜上并彼此隔開預定距離；

第二層間絕緣膜，其在所述第一層間絕緣膜上設置于所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間；以及

覆蓋膜圖案，其設置在所述第一熔絲圖案、所述第二熔絲圖案和所述第二層間絕緣膜上并包括狹縫，所述狹縫使所述第二層間絕緣膜的一部分露出。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第一層間絕緣膜包括第一氧化物材料，所述第二層間絕緣膜包括第二氧化物材料。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述熔絲圖案包括銅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述覆蓋膜圖案包括氮化物膜。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述覆蓋膜圖案形成為覆蓋所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案的整個頂面以及所述第二層間絕緣膜的頂面的一部分。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述覆蓋膜圖案的長度在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案的長度的2.5倍和3.5倍之間。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案的中間部分是熔斷區。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，

所述狹縫的長軸長度長于所述熔絲圖案的熔斷區的長軸長度，并短于所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案的長軸長度。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第三層間絕緣膜，其設置在所述覆蓋膜圖案上，所述第三層間絕緣膜包括開口區，所述開口區使所述覆蓋膜圖案的頂面和所述第二層間絕緣膜的露出部分露出。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體基板上形成第一層間絕緣膜；

形成第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和第二熔絲圖案被形成在所述第一層間絕緣膜上的第二層間絕緣膜的一部分彼此隔開；

在所述第一熔絲圖案、所述第二熔絲圖案和所述第二層間絕緣膜上形成覆蓋膜；

形成覆蓋膜圖案；以及

通過蝕刻所述覆蓋膜的設置在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的一部分，在所述覆蓋膜圖案中形成狹縫。