[發(fā)明專利]獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310143280.7
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103280413A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 張昊
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，包括：

在所述晶圓上選取至少兩個尺寸不同的電阻作為待測電阻；

測量每個待測電阻在不同預設溫度下的電阻值；

根據(jù)每個待測電阻在不同預設溫度下的電阻值獲得每個待測電阻的電阻溫度系數(shù)；

計算全部待測電阻的電阻溫度系數(shù)的標準差以獲得電阻溫度系數(shù)的離散度。

2.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述選取至少兩個尺寸不同的電阻包括：選取至少兩個長寬比不同的電阻。

3.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述不同預設溫度包括：平均室溫和所述晶圓的最大工作溫度。

4.如權利要求3所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述根據(jù)每個待測電阻在不同預設溫度下的電阻值獲得每個待測電阻的電阻溫度系數(shù)包括：

對每個待測電阻在平均室溫和所述晶圓的最大工作溫度的電阻值進行一次函數(shù)擬合；

根據(jù)每個待測電阻對應的一次函數(shù)得出每個待測電阻的電阻溫度系數(shù)。

5.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述不同預設溫度包括：四個預設溫度，其中，最小的預設溫度為平均室溫，最大的預設溫度為所述晶圓的最大工作溫度。

6.如權利要求5所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述根據(jù)每個待測電阻在不同預設溫度下的電阻值獲得每個待測電阻的電阻溫度系數(shù)包括：

對每個待測電阻在所述四個預設溫度下的電阻值進行一次或二次函數(shù)擬合；

根據(jù)每個待測電阻對應的函數(shù)得出每個待測電阻的電阻溫度系數(shù)。

7.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述計算全部待測電阻的電阻溫度系數(shù)的標準差以獲得電阻溫度系數(shù)的離散度包括：

計算全部待測電阻的電阻溫度系數(shù)的平均值；

根據(jù)所述平均值和公式計算得出電阻溫度系數(shù)的標準差，其中，表示電阻溫度系數(shù)的標準差、X_i表示各電阻對應的電阻溫度系數(shù)，表示全部待測電阻的電阻溫度系數(shù)的平均值，N表示電阻溫度系數(shù)的個數(shù)。

8.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述待測電阻的數(shù)量大于1000。

9.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，所述晶圓的數(shù)量為至少兩個。

10.如權利要求1所述的獲取晶圓的電阻溫度系數(shù)的離散度的工業(yè)實現(xiàn)方法，其特征在于，在所述晶圓上選取至少兩個尺寸不同的電阻作為待測電阻包括：在所述晶圓上的至少兩個芯片上選取至少兩個尺寸不同的電阻作為待測電阻。