[發明專利]一種電場輔助制備一維納米ZnO晶須的方法有效
| 申請號： | 201310143243.6 | 申請日： | 2013-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN103320867A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發明（設計）人： | 王浩;黃志新;程磊;梅森 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | C30B30/02 | 分類號： | C30B30/02;C30B28/04;C30B29/62;C30B29/16 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電場 輔助 制備 納米 zno 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一維納米ZnO晶須的方法，其特征是一種通過電場輔助制備一維納米ZnO晶須的方法，該方法包括以下的步驟：
（1）前驅體溶液的配制：
以硝酸鋅為鋅源，六亞甲基四胺為模板劑，按硝酸鋅濃度0.001～0.1mol/L，六亞甲基四胺0.001～0.1mol/L，稱取硝酸鋅與六亞甲基四胺，溶于去離子水配置成均一穩定的前驅體溶液；
（2）電場導向生長ZnO晶須：
將步驟（1）得到的前驅體溶液放置于玻璃燒杯中，置于具有電場的磁力攪拌加熱裝置上，加溫反應，反應溫度60℃～95℃，反應時間3～12h，在溶液中生成不溶性固體沉淀物；采用液離心分離沉淀，并用蒸餾水反復洗滌沉淀物數次至中性，最后置于60℃的干燥箱中烘干；
（3）晶須熱處理：
將步驟（2）烘干后的產物進行熱處理，熱處理制度為：以5℃/min的升溫速率升溫至550℃保溫2h，最終得到ZnO晶須樣品。
2.根據根據權利要求1所述的一維納米ZnO晶須的的制備方法，其特征在于所述外電場的強度為5～100KV·m-1可調。
3.根據權利要求1所述的一維納米ZnO晶須的的制備方法，其特征在于通過調整外電場強度所得晶須的長度與直徑可控，所述長徑比10～100。
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