[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310142870.8
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103235456A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐向陽;聶竹華;鄧立赟;金玟秀;王凱
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，特別涉及一種陣列基板、該陣列基板的制造方法和包括所述陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

陣列基板分為顯示區(qū)和與所述顯示區(qū)鄰接的周邊區(qū)，所述顯示區(qū)被劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)都設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，在每個所述像素單元內(nèi)，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極通過過孔電連接。但是，過孔內(nèi)的金屬與像素電極相接觸時會產(chǎn)生較大的接觸電阻，從而造成公共電極和像素電極之間電荷分布不均勻。

因此，如何使公共電極和像素電極之間電荷均勻分布成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、該陣列基板的制造方法以及包括所述陣列基板的顯示裝置。在所述陣列基板中，公共電極與像素電極之間電荷分布均勻。

為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)和與所述顯示區(qū)鄰接的周邊區(qū)，所述顯示區(qū)包括多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)都設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極直接接觸。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括公共電極線，所述像素單元包括公共電極，所述公共電極與所述公共電極線直接接觸。

優(yōu)選地，所述像素電極包括像素電極本體和從所述像素電極本體上突出的連接部，所述連接部與所述薄膜晶體管的漏極直接接觸。

優(yōu)選地，所述連接部位于所述薄膜晶體管的漏極與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層之間。

優(yōu)選地，所述連接部覆蓋所述薄膜晶體管的漏極的上表面的一部分。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的有源層包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分覆蓋所述薄膜晶體管的源極的上表面的至少一部分，所述第二部分覆蓋所述薄膜晶體管的柵極絕緣層的上表面的一部分，所述第三部分覆蓋所述薄膜晶體管的漏極的上表面的至少一部分。

優(yōu)選地，所述周邊區(qū)設(shè)置有柵線引線、在所述柵線引線的上方與該柵線引線電連接的柵線引線電極、公共電極線引線、設(shè)置在所述公共電極線引線上方且與該公共電極線引線電極、數(shù)據(jù)線引線和設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線引線上方且與該數(shù)據(jù)線引線電連接的數(shù)據(jù)線引線電極，所述柵線引線與所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線一一對應(yīng)地電連接，所述公共電極線引線與所述顯示區(qū)內(nèi)的公共電極線一一對應(yīng)地電連接，所述數(shù)據(jù)線引線與所述顯示區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線一一對應(yīng)地電連接，所述柵線引線電極、公共電極線引線電極和數(shù)據(jù)線引線電極均用于與外部驅(qū)動電路電連接。

優(yōu)選地，所述柵線引線、公共電極線引線與所述柵線、所述公共電極線在同一膜層；和/或所述數(shù)據(jù)線引線與所述數(shù)據(jù)線在同一膜層。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的有源層由氧化物制成。

優(yōu)選地，所述氧化物為銦鎵鋅氧化物。

作為本發(fā)明的另一個方面，還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

作為本發(fā)明的再一個方面，還提供一種陣列基板的制造方法，其中，所述制造方法包括以下步驟：

形成第一組圖形，該第一組圖形包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極；和

形成第二組圖形，該第二組圖形包括像素電極，該像素電極與所述漏極直接接觸。

優(yōu)選地，所述制造方法還包括先后進行的：

形成第三組圖形，該第三組圖形包括公共電極；和

形成第四組圖形，該第四組圖形包括公共電極線，該公共電極線與所述公共電極直接接觸。

優(yōu)選地，在所述形成第一組圖形的步驟之前進行所述形成第三組圖形的步驟，所述第四組圖形還包括柵極、柵線、與所述柵線對應(yīng)連接的柵線引線和與所述公共電極線對應(yīng)連接的公共電極線引線，所述第一組圖形還包括與所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線引線。

優(yōu)選地，所述制造方法還包括在所述形成第四組圖形的步驟后進行的形成柵極絕緣層的步驟，所述柵極絕緣層覆蓋所述第四組圖形。

優(yōu)選地，所述制造方法還包括在所述形成第一組圖形的步驟之后依次進行的：

形成有源層的圖形，所述有源層的圖形包括依次連接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分覆蓋所述源極的上表面的至少一部分，所述第二部分覆蓋所述柵極絕緣層的上表面的一部分，所述第三部分覆蓋所述漏極的上表面的至少一部分；和

形成鈍化層。

優(yōu)選地，在所述形成柵極絕緣層的步驟之后進行所述形成第二組圖形的步驟，并在所述形成第二組圖形步驟之后進行所述形成第一組圖形的步驟。

優(yōu)選地，所述制造方法還包括在所述形成鈍化層的步驟后進行：