[發明專利]用晶體硅切割廢料制備碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的方法

無效

• 申請號: 201310142379.5
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103266234A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 劉延軍
• 申請（專利權）人: 新疆眾和股份有限公司
• 主分類號: C22C1/05
• 分類號: C22C1/05;C22C21/00
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 夏晏平

1.用晶體硅切割廢料制備碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的方法,其特征為工藝過程如下:對切割廢料依次進行1)堿洗除雜,2)酸洗除雜,3)過濾,4)水洗,5)烘干,6)將烘干的碳化硅粉末與鋁合金粉末以(10-80)%:(20-90)%體積分數混合均勻,7)壓制成坯體,8)坯體熱處理得到增強鋁基復合材料。

2.根據權利要求1所述的用晶體硅切割廢料制備碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的方法,其特征為堿洗除雜工藝是:堿洗液中氫氧根離子濃度為c(OH^-)=(0.02-0.06)mol/L,堿洗液用量與切割廢料體積比為(4-5):1,堿洗溫度40-50℃,堿洗時間2-3小時,攪拌速度130-150轉/分鐘。

3.根據權利要求1所述的用晶體硅切割廢料制備碳化硅顆粒增強鋁基復合材科的方法，其特征為酸洗除雜工藝是:酸洗液中氫離子濃度為c(H⁺)=(0.05-0.1)mol/L,酸洗液用量與切割廢料體積比為(4-5):1,酸洗溫度60-70℃,酸洗時間2-3小時,攪拌速度130-150轉/分鐘。

4.根據權利要求1所述的用晶體硅切割廢料制備碳化硅顆粒增強鋁基復合材料的方法，其特征為碳化硅粉末烘干時通入氬氣保護，氬氣流速為150-200毫升/分鐘，以2-3℃/分鐘的升溫速度升至150-160℃,在此溫度下烘干2-3小時。

5.根據權利要求1所述的用晶體硅切割廢料制備碳化硅顆粒增強??鋁基復合材料的方法，其特征為坯體的熱處理工藝為：將坯體放入熱處理爐中，爐子抽真空至-0.01Mpa,?開啟通氣閥門，通入純度大于等于99%的高純氬氣至+0.01～+0.02Mpa，然后打開排氣閥門繼續通入氬氣30-40min，氬氣流量保持在100mL/min，以6～8℃/min的升溫速率從室溫升至390～400℃，保溫0.8～1h，再以10-12℃/min的升溫速率升至650～770℃，保溫1.5～2h，最后關閉通氣閥和排氣閥,停止加熱,坯體隨爐冷卻后取出。