[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310142130.4
• 申請(qǐng)日: 2013-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN104112666A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷華湘;張永奎;朱慧瓏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在襯底上形成沿第一方向延伸的多個(gè)鰭片和溝槽；

在溝槽中形成隔離層；

在鰭片中和/或鰭片與襯底界面處形成穿通阻擋層；

刻蝕隔離層以暴露部分鰭片，剩余隔離層構(gòu)成淺溝槽隔離。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成鰭片和溝槽的步驟進(jìn)一步包括：在襯底上形成硬掩模層；以硬掩模層為掩模，刻蝕襯底形成鰭片和溝槽。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成穿通阻擋層的步驟進(jìn)一步包括：執(zhí)行離子注入，使得注入的元素分布在鰭片中和/或鰭片與襯底界面處；退火，使得注入的元素與鰭片和/或襯底反應(yīng)形成穿通阻擋層。

4.如權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，注入的元素包括N、C、F、P、Cl、As、B、In、Sb、Ga、Si、Ge及其組合。

5.如權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，注入的元素包括氧。

6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成淺溝槽隔離之后進(jìn)一步包括：

在鰭片上形成沿第二方向延伸的假柵極堆疊；

在假柵極堆疊的沿第一方向的側(cè)面形成柵極側(cè)墻和源漏區(qū)；

在器件上形成層間介質(zhì)層；

去除假柵極堆疊，在層間介質(zhì)層中留下柵極溝槽；

在柵極溝槽中形成柵極堆疊；

刻蝕層間介質(zhì)層形成暴露源漏區(qū)的接觸孔；

在接觸孔中形成金屬硅化物和接觸塞。

7.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，源漏區(qū)包括外延生長(zhǎng)的提升源漏區(qū)。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)鰭片，位于襯底上且沿第一方向延伸；

淺溝槽隔離，位于多個(gè)鰭片之間；

穿通阻擋層，位于鰭片中和/或鰭片與襯底界面處。

9.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，其中，穿通阻擋層為高摻雜區(qū)。

10.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其中，高摻雜區(qū)包括N、C、F、P、Cl、As、B、In、Sb、Ga、Si、Ge及其組合。

11.如權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，其中，穿通阻擋層為氧化硅。