[發明專利]封裝的MEMS器件和對封裝的MEMS器件進行校準的方法

有效

• 申請號: 201310141828.4
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN103373696A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: S.巴岑;R.黑爾姆;C.赫楚姆;M.克羅普菲奇;M.武策爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;G01R35/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;李浩

技術領域

本發明一般地涉及MEMS結構中的可調整通風開口和用于操作MEMS結構的方法。

背景技術

一種MEMS（微機電系統）擴音器包括設置在硅芯片中的壓力敏感薄膜或隔膜。MEMS擴音器被與放大器封裝在一起。可以將MEMS擴音器和放大器定位于不同芯片上或同一芯片上。MEMS擴音器還可以包括使得其成為數字MEMS擴音器的模數轉換器(ADC）。

發明內容

根據本發明的實施例，一種封裝的MEMS器件包括載體、設置在載體上的MEMS器件、設置在載體上的信號處理器件、設置在載體上的確認電路；以及設置在載體上的密封（encapsulation），其中，該密封將MEMS器件、信號處理器件和存儲元件密封。

根據本發明的實施例，一種對封裝的MEMS器件進行校準的方法包括向封裝的MEMS器件施加信號，測量封裝的MEMS器件的靈敏度、將測量的靈敏度與封裝的MEMS器件的目標靈敏度相比較、選擇用于偏壓和IC增益中的至少一個的值以及將該值存儲在封裝的MEMS器件的存儲器元件中。

根據本發明的實施例，一種用于對封裝的MEMS器件進行校準的方法包括測量封裝的MEMS器件的諧振頻率、將該諧振頻率與MEMS器件的目標諧振頻率相比較、選擇用于偏壓和ASIC增益中的至少一個的值以及將該值存儲在封裝的MEMS器件中的存儲器元件中。

根據本發明的實施例，一種用于對封裝的MEMS器件進行校準的方法包括測量用于第一偏壓的封裝的MEMS器件的第一電容、測量用于第二偏壓的封裝的MEMS器件的第二電容并計算第一偏壓與第二偏壓以及第一電容與第二電容之間的差的斜率。該方法包括將所計算斜率與目標斜率相比較、設置用于偏壓和IC增益中的至少一個的值以及將該值存儲在封裝的MEMS器件的存儲器元件中。

根據本發明的實施例，一種用于對封裝的MEMS器件進行校準的方法包括測量在晶片上或單一化管芯上的MEMS器件的靈敏度、諧振頻率和電容斜率中的至少一個、存儲所測量信息、將MEMS器件組裝到封裝的MEMS器件并用基于所存儲的所測量信息的值對封裝的MEMS器件進行編程。

附圖說明

為了更透徹地理解本發明及其優點，現在對結合附圖進行的以下描述進行參考，在所述附圖中：

圖1a和1b示出了封裝的MEMS器件；

圖2示出了封裝的MEMS器件的實施例；

圖3示出了對封裝的MEMS器件進行校準的實施例的流程圖；

圖4示出了對封裝的MEMS器件進行校準的實施例的流程圖；

圖5示出了對封裝的MEMS器件進行校準的實施例的流程圖；以及

圖6示出了對MEMS器件進行校準和封裝的實施例的流程圖。

具體實施方式

下面詳細地討論目前優選實施例的獲得和使用。然而應認識到的是本發明提供了能夠在多種特定情境下體現的本許多可應用的發明概念。所討論的特定實施例僅僅說明獲得和使用本發明的特定方式，并且不限制本發明的范圍。

將相對于特定情境下、即封裝的擴音器或傳感器的優選實施例來描述本發明。然而，本發明還可以應用于其他封裝的MEMS器件，諸如RF?MEMS、加速度計和致動器。

在蜂窩電話、筆記本及其他設備中使用硅擴音器。存在每個設備使用不止一個擴音器例如以用于噪聲消除或方向性的趨勢。在那些應用中，每個擴音器應具有基本上相等的靈敏度，即可能要求低靈敏度公差。

對于硅擴音器而言，+/-?3dB的靈敏度公差是典型的。然而，對于如上所述的多個擴音器應用而言，可能要求諸如+/-?1dB的較窄靈敏度公差。

然而，MEMS制造過程常常產生具有超過+/-?3dB或者甚至超過+/-?5dB靈敏度的靈敏度公差的MEMS器件。靈敏度公差甚至可能在MEMS器件與信號處理器件一起被封裝到封裝的MEMS器件中時變得更壞。

在實施例中，通過直接地在封裝的MEMS器件中測量活動電極的靈敏度來對封裝的MEMS器件進行校準。在另一實施例中，通過測量封裝的MEMS器件的諧振頻率來對封裝的MEMS器件進行校準。在又一實施例中，通過測量封裝的MEMS器件的電容斜率來對封裝的MEMS器件進行校準。最后，在實施例中，封裝的MEMS器件包括存儲器元件。