[發明專利]單晶雙光源發光元件有效
| 申請號： | 201310141727.7 | 申請日： | 2013-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN104103659B | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 吳慶輝 | 申請（專利權）人： | 東貝光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司11139 | 代理人： | 孫皓晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶雙 光源 發光 元件 | ||
1.一種單晶雙光源發光元件，其特征在于，其包含：
一第一磊晶層，包含具有n型導電型結構的一第一n型半導體層、具有多量子井結構的一第一發光層以及具有p型導電型結構的一第一p型半導體層，以發出一第一光源；
一單一基板，設置于該第一磊晶層的一側；
一第二磊晶層，相對應該第一磊晶層的位置設置于該基板的另一側，包含具有n型導電型結構的一第二n型半導體層、具有多量子井結構的一第二發光層以及具有p型導電型結構的一第二p型半導體層，以發出一第二光源；
一第一電極，是遠離該基板而設置于該第一磊晶層的該第一n型半導體層的一側；
一第一反射層，設置于該第一磊晶層的該第一p型半導體層的一側；
一第一接合層，設置于該第一反射層與該基板間；以及
一第一絕緣部，插設于該第一反射層間。
2.根據權利要求1所述的單晶雙光源發光元件，其特征在于，更包含：
一第二電極，是遠離該基板而設置于該第二磊晶層的該第二n型半導體層的一側；以及
一第二絕緣部，設置于該第二磊晶層的該第二p型半導體層與該基板間。
3.根據權利要求1所述的單晶雙光源發光元件，其特征在于，更包含：
一第二反射層，設置于該第二磊晶層的該第二p型半導體層的一側；
一粘膠層，設置于該基板與該第二反射層間；以及
多個第二電極，設置于該第二磊晶層的該第二p型半導體層與該粘膠層間，以及該第二反射層的一側；
多個絕緣部，設置于該粘膠層上而與該些第二電極相鄰，且包覆設置于該第二反射層的一側的該第二電極。
4.根據權利要求1所述的單晶雙光源發光元件，其特征在于，更包含：
一第二反射層，設置于該第二磊晶層的該第二n型半導體層的一側；
一粘膠層，設置于該基板與該第二反射層間；以及
多個第二電極，設置于該第二磊晶層的該第二p型半導體層的一側，以及該第二磊晶層的該第二n型半導體層的一側。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
