[發(fā)明專利]MEMS器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310141385.9 | 申請日： | 2007-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN103260123A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | R·I·拉明;M·貝格比 | 申請（專利權(quán)）人： | 沃福森微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H04R27/00 | 分類號： | H04R27/00;H04R17/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人： | 楊勇;鄭建暉 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 英國;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 器件 | ||
1.一種微機電器件，包括：
換能器布置，其至少具有針對襯底而安裝的薄膜；和
電交互裝置，其用于將電信號聯(lián)系于所述薄膜的運動，
其中，所述薄膜針對所述襯底而安裝，使得所述薄膜的平面與所述襯底的上表面的平面分離，并且其中在所述換能器布置和所述襯底之間設(shè)置有應(yīng)力釋放部分；
其中所述應(yīng)力釋放部分被配置為使得其在水平方向上的剛度比其在豎直方向上的剛度大，所述水平方向?qū)?yīng)于所述襯底的平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述水平方向包括對應(yīng)于所述襯底的移動平面的x水平方向和y水平方向，以及其中所述豎直方向?qū)?yīng)于基本垂直于所述襯底的移動平面的z方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其中，所述換能器布置進一步包括背板布置，該背板布置具有用于將電信號聯(lián)系于所述薄膜的運動的另一電交互裝置，所述背板布置被定位從而在所述背板布置和所述薄膜之間形成空腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的器件，其中所述應(yīng)力釋放部分減弱來自所述襯底的對所述薄膜和所述背板布置的影響。
5.根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，所述襯底包括可操作地連接到所述電交互裝置的電子電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述電子電路包括互補型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述CMOS電路包括從如下列表中選出的一個或多個，所述列表包括：
電荷泵；
濾波器；
前置放大器；
模-數(shù)轉(zhuǎn)換器；
數(shù)字信號處理器；
接收器/發(fā)射器；和
多路器。
8.根據(jù)從屬于權(quán)利要求3時的權(quán)利要求5至7中任一項所述的器件，其中空氣空腔通過去除犧牲層而形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述犧牲層是聚酰亞胺。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述犧牲層是低溫二氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的器件，其中，所述犧牲層的去除通過干式蝕刻進行。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中，所述干式蝕刻包括氧氣等離子體蝕刻。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，所述等離子體部分地/主要地被微波感應(yīng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的器件，其中，使用高溫直接晶片加熱和摻雜氮氣的氧氣等離子體，進行所述犧牲層的去除。
15.根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，所述器件在其中溫度不超過400℃的過程中制造。
16.根據(jù)權(quán)利要求5至15中任一項所述的器件，其中，所述電子電路包含在相對于所述薄膜的不同的層中。
17.根據(jù)權(quán)利要求5至15中任一項所述的器件，其中，所述電子電路在與所述薄膜相同的層中制造。
18.根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，所述薄膜是氮化硅。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項所述的器件，其中，所述薄膜是多晶硅。
20.根據(jù)從屬于權(quán)利要求3時的權(quán)利要求5至15中任一項所述的器件，其中，所述背板布置被穿孔，從而允許空氣流經(jīng)過。
21.根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，所述電交互裝置包括選自如下列表的一種或多種材料，所述列表包括：Al;AlSi;AlSiCu;Ti;TiW;Cu;Ni;NiCr;Cr;Pt;Ta以及Pd。
22.根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，所述襯底是硅。
23.一種包括根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件的MEMS擴音器。
24.一種包括根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件的MEMS壓力傳感器。
25.一種包括根據(jù)之前任一項權(quán)利要求所述的器件的MEMS超聲換能器。
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