[發明專利]一種提高長波紅外光學薄膜與鍺基片附著力的方法

無效

• 申請號: 201310140304.3
• 申請日: 2013-04-22
• 公開（公告）號: CN103233198A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 董茂進;王多書;熊玉卿;張玲;王濟洲;李晨;王超;高歡
• 申請（專利權）人: 蘭州空間技術物理研究所
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/26
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 楊志兵;付雷杰

1.一種提高長波紅外光學薄膜與鍺基片附著力的方法，其特征在于：所述方法步驟如下：

（1）將鍺基片用分析純的鹽酸浸泡10～20min，去離子水沖洗3～5遍，分析純的丙酮超聲清洗10～20min，分析純的乙醇超聲清洗10～20min，然后晾干馬上裝入基片架中；

（2）將基片放入鍍膜機中，然后對鍍膜機抽真空至3.0～5.0×10^-3Pa，在抽真空的同時開啟加熱系統，加熱至150～180℃，當真空度和溫度均達到要求時，使用鍍膜機上的霍爾離子源轟擊基片，活化基片的表面，具體為：首先打開離子源通氬氣，氣流量為10～30sccm，再開啟陰極電壓至100～200V，然后開啟陽極電壓至50～100V，此時陽極電流為0.5～1.0A；

（3）在步驟（2）活化好的鍺基片上表面采用電阻蒸發方法鍍制一層均勻鍺薄膜，鍺薄膜厚度為10～30nm；

（4）在鍺薄膜上表面采用電阻蒸發方法鍍制長波紅外光學薄膜，所述長波紅外光學薄膜的厚度根據實際需要確定。