[發明專利]晶硅切割廢棄料制備氮化硅復合碳化硅陶瓷的方法無效
| 申請號： | 201310139686.8 | 申請日： | 2013-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103232245A | 公開（公告）日： | 2013-08-07 |
| 發明（設計）人： | 羅紹華;耿桂宏;陳宇紅 | 申請（專利權）人： | 東北大學 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京國林貿知識產權代理有限公司 11001 | 代理人： | 李富華 |
| 地址： | 110004 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 切割 廢棄 制備 氮化 復合 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種晶硅切割廢棄料制備氮化硅復合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，以金剛石線切割晶硅廢料Si粉和多絲線切割晶硅廢料中的SiC微粉為主原料，Al2O3、Y2O3和Fe2O3為燒結助劑，主原料按配比稱量后，經過球磨、烘干、造粒和成型，加入燒結助劑，在高純氮氣氣氛下，以1℃/min升溫至800℃保溫2h，升溫至1150℃并保溫4h，最后升溫至1550℃-1650℃，氮化燒結5-10h，燒結體即為氮化硅復合碳化硅復相陶瓷。
2.?根據權利要求1所述一種晶硅切割廢棄料制備氮化硅復合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述主原料中Si粉為金剛石線切割晶硅廢料，SiC微粉為多絲線切割晶硅廢料中易分離固體物。
3.?根據權利要求1所述一種晶硅切割廢棄料制備氮化硅復合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述主原料中Si粉質量百分含量為15%-25%，SiC微粉質量百分含量為75%-85%。
4.?根據權利要求1所述一種晶硅切割廢棄料制備氮化硅復合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述燒結助劑中Al2O3質量百分含量為2.8%-3.2%，Y2O3質量百分含量為0.5%-2.0%和Fe2O3質量百分含量為0.5%-1.0%。
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