[發明專利]自組裝結構、其制備方法以及包括其的制品

有效

• 申請號: 201310139586.5
• 申請日: 2013-02-18
• 公開（公告）號: CN103304725A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: P·特萊弗納三世;張詩瑋;P·D·赫斯塔德;E·B·沃格爾
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司;陶氏環球技術有限公司
• 主分類號: C08F220/14
• 分類號: C08F220/14;C08F220/22;C09D133/12;C09D133/16;B82Y40/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒

1.聚合物組合物，其包括由式(1)所示單體或具有式(2)所示結構的單體與具有至少一個氟原子取代基和具有式(3)所示結構的單體反應得到的無規共聚物：

其中R₁是氫或具有1至10個碳原子的烷基；

其中R₁是氫或具有1至10個碳原子的烷基，R₂是C_1-10烷基、C_3-10環烷基或C_7-10芳烷基；

其中R₁是氫或具有1至10個碳原子的烷基，R₃是C_2-10的氟烷基。

2.權利要求1所述的無規共聚物，其中所述共聚物具有式(4)的結構：

其中x和y是摩爾分數，二者之和等于1，其中x是0.001至0.999，y是0.001至0.999；其中R₁是氫或C_1-10烷基，在不同重復單元中R₁是相同的或不同的；R₄是羧酸基、C_1-10烷基酯基、C_3-10環烷基酯基或C_7-10芳烷基酯基；和R₅是C_2-10氟烷基酯基；和其中R₆表示包括羥基、羧酸基、環氧基、硅烷基或包括至少一個上述基團的組合的端基。

3.權利要求1所述的無規共聚物，其中所述共聚物具有式(7)的結構：

其中x、y和z是摩爾分數，它們之和等于1，其中x是0.001至0.999，y是0.001至0.999；R₁是氫或C_1-10烷基，在每個重復單元中R₁是相同的或不同的；R₄是羧酸基、C_1-10烷基酯基、C_3-10環烷基酯基或C_7-10芳烷基酯基；R₅是C_2-10氟烷基酯基；R₇是不同于R₅的C_2-10氟烷基酯基，或不同于R₄的C_1-10烷基酯基、C_3-10環烷基酯基或C_7-10芳烷基酯基；和其中R₆表示包括羥基、羧酸基、環氧基、硅烷基或包括至少一個上述基團的組合的端基。

4.權利要求1所述的無規共聚物，其具有10,000至20,000g/mol的數均分子量和小于或等于1.3的多分散指數。

5.權利要求1所述的無規共聚物，其包括0.1至40mol％的具有C_2-10氟烷基酯基的(甲基)丙烯酸酯單體。

6.權利要求1所述的無規共聚物，其包括共聚(甲基丙烯酸甲基酯-ran-甲基丙烯酸三氟乙酯)。

7.權利要求1所述的無規共聚物，其包括共聚(甲基丙烯酸甲基酯-ran-甲基丙烯酸十二氟庚酯)。

8.一種形成圖案的方法，其包括：

在無規共聚物設置在其上的基底表面上，設置包括含硅氧烷的嵌段和含非硅氧烷的嵌段的嵌段共聚物；所述無規共聚物具有15至40毫牛頓每米的總表面能，并包括至少一個包含氟原子的取代基；

使所述嵌段共聚物退火，以使含有所述含硅氧烷的嵌段的區域與含有所述含非硅氧烷的嵌段的區域相分離；和

蝕刻所述嵌段共聚物，以選擇性地除去含有所述含硅氧烷的嵌段或所述含非硅氧烷的嵌段的區域。

9.權利要求8所述的方法，其中所述無規共聚物在所述基底表面上形成圖案化的刷狀層。

10.權利要求8所述的方法，其中所述無規共聚物在所述基底表面上形成圖案化的墊狀層。

11.權利要求8所述的方法，其中所述退火是熱處理的結果。