[發明專利]剝離方法有效
| 申請號： | 201310139488.1 | 申請日： | 2013-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN103378228B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | 森數洋司 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人： | 李輝,黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 剝離 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種剝離方法，將光器件晶片的光器件層轉移到轉移基板上，所述光器件晶片是在外延基板的正面隔著由含有Ga的Ga化合物構成的緩沖層而層疊了光器件層，其特征在于，該剝離方法包括：
轉移基板接合工序，在光器件晶片的光器件層的表面上隔著接合金屬層而接合轉移基板；
緩沖層破壞工序，從接合有轉移基板的光器件晶片的外延基板的背面側向緩沖層照射對于外延基板具有透射性且對于緩沖層具有吸收性的波長的脈沖激光光線，破壞緩沖層；以及
光器件層轉移工序，在實施了該緩沖層破壞工序之后，從光器件層剝離外延基板而將光器件層轉移到轉移基板上，
該緩沖層破壞工序包括：Ga層形成工序，照射具有第1輸出的脈沖激光光線，使得Ga從Ga化合物中析出而在外延基板與緩沖層之間的邊界面處形成Ga層；以及氣體層形成工序，照射具有比該第1輸出高的第2輸出的脈沖激光光線來破壞Ga層正下方的Ga化合物，在Ga層與外延基板之間形成氣體層，
將具有該第1輸出的脈沖激光光線的能量密度設定為0.125J/cm2～0.5J/cm2，將具有該第2輸出的脈沖激光光線的能量密度設定為0.55J/cm2～1.0J/cm2。
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